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为了在低温衬底(＜ 500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si (100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理.对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析.结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40～90 nm,Raman光谱在1331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰.XRD谱在2θ =43.90、75.30处出现了金刚石的(111)、(220)特征衍射峰.实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6％;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1100～1300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)、(111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长. 相似文献
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用电子束蒸镀方法在250℃~450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底(111)晶面上成功生长了Zn0.85Co0.14Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°。 相似文献
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用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si村底(111)晶面上成功生长了Zn0.85 Co0.14 Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°. 相似文献
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分别在不同的衬底温度下制备了SiCN薄膜，首先用红外吸收谱（IR）研究了薄膜中各元素间的成键情况，然后用X射线衍射谱（XRD）分别研究了高温样品和低温样品的结构，得到了它们的结晶状况。利用这些研究得到了衬底温度对薄膜生长的影响。 相似文献
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通过脉冲激光沉积方法在1.3Pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用X射线衍射(XRD)谱,原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些ZnO薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均匀。 相似文献
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SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱（IR）进行表征。结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降。在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量。提高溅射功率可以使得薄膜中N含量升高。 相似文献
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利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射（XRD）研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350－400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。 相似文献
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利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn0.95Ca0.05O薄膜,用X射线衍射(XRD)研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350-400 nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。 相似文献
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采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下沉积了一系列ZnO和ZnO∶ Mn薄膜.结合X射线衍射谱和扫描电子显微镜,分析了不同温度条件下的ZnO和ZnO∶ Mn薄膜的结构特性.结果显示:ZnO和ZnO∶Mn薄膜均呈现出显著的(002)定向生长特征,与ZnO的(002)衍射峰相比,相应条件下生长的ZnO∶ Mn(002)衍射峰均向小角度偏移,这主要是由于大离子半径的Mn2+替代了Zn2+的结果.同时随着衬底温度的升高,薄膜形貌得到明显改善,晶粒尺寸呈现减小趋势. 相似文献
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1 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｏｆａｎｕｍｂｅｒｏｆｆａｖｏｒａｂｌｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ,ｓｕｃｈａｓｈｉｇｈｈａｒｄｎｅｓｓ,ｈｉｇｈｃａｒｒｉｅｒｍｏｂｉｌｉｔｙａｎｄｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅ,ｌａｒｇｅｂａｎｄｇａｐ ,ｌｏｗｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｓｔａｎｔ,ａｎｄｔｒａｎｓｐａｒｅｎｃｙｔｏｖｉｓｉｂｌｅｌｉｇｈｔ,ＩＲｌｉｇｈｔａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｓ,ｅｔｃ.[1] ,ｄｉａｍｏｎｄｆｉｌｍｈａｓｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒ ａｂｌｙｐｒｏｍ… 相似文献
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Ju Jianhua Mo Yaowu Huang Xiaoqin Xia Yiben 《上海大学学报(英文版)》1998,2(4):337-341
ｏｎ ａｎｄ Ｈｏｍｏｇｅｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｆｉｌｍ ｉｎ ｔｈｅ Ｍｕｌｔｉｆｉｌａｍｅｎｔ ＣＶＤ ＳｙｓｔｅｍTX１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｈｏｔ－ｆｉｌａｍｅｎｔｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＨＦＣ... 相似文献
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lintroductionDiamondisawide-band-semiconductorwithauniquealldextraordinalycombinationofelectronicpropelties(highbreakdownvoltagel"'l,electron/holemobilityl']andcall.iel'saturationvelocityl#]),mechanicalpropelties(highhardnessandstrength)andotherproperties… 相似文献
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C60是碳的一种同素异形体,具有很多奇特的物理化学性质,[1]Langmuir-Blodgett膜（LB膜）是形成C60分子有序结构的一种有效的方法。[2]通过研究沉积在亲水玻璃基底上的单层C60/SA LB复合膜和单层C60/AA LB复合膜的π-A曲线和原子力显微镜（AFM）图片,发现C60/SA LB复合膜排列更为均匀有序,而C60/AA LB复合膜排布不如C60/SA LB复合膜均匀有序,但是膜的厚度较薄。 相似文献
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文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜. 相似文献
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Measurement of the thermal transport properties of dielectric thin films using the micro-Raman method 总被引：1，自引：0，他引：1
The micro-Raman method is a non-contact and non-destructive method for thermal conductivity measurement. To reduce the measurement error induced by the poor fit of the basic equation of the original micro-Raman method, we developed a new basic equation for the heat source ofa Gaussian laser beam. Based on the new basic equation, an analytical heat transfer model has been built to extend the original micro-Raman method to thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. Experiments were performed to measure the thermal conductivity of dielectric thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. The thermal resistance of the interface between dielectric thin films and their silicon substrate was also obtained. The obtained thermal conductivity of silicon dioxide film is 1.23 W/（m.K）, and the interface thermal resistance between silicon dioxide film and substrate is 2.35×10^-8 m^2.K/W. The thermal conductivity and interface thermal resistance of silicon nitride film are 1.07 W/（m.K） and 3.69×10^-8 m^2.K/W, respectively. The experimental results are consistent with reported data. 相似文献
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Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing on wet etch of a-IGZO films were investigated.The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of annealing temperature.Etching taper angle is less than 60 and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching time of 30 s.The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor (TFT) ... 相似文献