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《赣南师范学院学报》2019,(6):58-61
硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数. 相似文献
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针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题，设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构，通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管，在不使器件的其他电学特性退化的基础上，改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件，对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明，与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比，新结构的反向恢复特性明显改善，反向恢复时间减小了48.8%，反向恢复电荷减小了94.1%，反向峰值电流减小了82.4%。 相似文献
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随着新能源应用的需求,直流变换器不断向小型化、高功率密度、低压大电流方向发展,作为直流变换器关键器件的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,不断创新优化结构,获得更低导通电阻、更高开关速度,从而推动了与互补金属氧化物半导体制造工艺兼容的平面栅技术功率器件的发展。文章探讨了平面栅功率器件的研究进展,包括屏蔽沟道、肖特基势垒结等结构。 相似文献
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栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件[1],建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURF LDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LD-MOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻载流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。 相似文献
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李研达 《南阳师范学院学报》2009,8(3)
MOSFET是电气系统中的基本部件,想要选出最合适的MOSFET需要深入了解它们的关键特性厦指标.讨论如何根据漏源导通电阻RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET. 相似文献
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提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT),该晶体管在沟道下方的P型体区旁增加了一个特殊的低掺杂P型阱区,在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化.分析了低掺杂P阱的宽度和深度对SOI-LIGBT器件热载流子可靠性的影响.通过增加低掺杂P型阱区的宽度,可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值,从而优化器件的热载流子效应.另外,增加低掺杂P型阱区的深度,也会减小器件内部的碰撞电离率,从而减弱器件的热载流子退化.结合低掺杂P型阱区的作用和工艺窗口大小的影响,确定低掺杂P型阱区的宽度和深度都为2μm. 相似文献
8.
描述了应用于电流模逻辑电路中的高线性度电压-电流转换电路的设计与实现.该电路采用高增益两级运算放大器构成负反馈,偏置电路利用工作在弱反型区的MOS管电压电流呈指数律关系构成PTAT(proportional to absolute temperature)基准电流源.详细分析了电阻的类型以及运算放大器的参数对线性度的影响.通过优化运算放大器的参数并采用电压系数较小的多晶硅电阻作为线性器件获得了较高的线性度.本电路已采用CSMC0.6μm CMOS工艺实现,测试结果表明:输出的总谐波失真为0.000 2%.输入动态范围为0～2.6V,输出电流为50～426 μA.PTAT基准电流源对电源变化的灵敏度为0.021 7.芯片采用5 V供电,功耗约为1.3 mW,芯片面积为0.112 mm2. 相似文献
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基于阈值电压的负温度特性以及热电压的正温度特性,给以适当的权重后把它们相加,提出了一个零温度系数的基准电压电路。该器件由工作在亚阈值区的CMOS晶体管组成,不包含电阻和双极晶体管。采用3支路电流基准结构替代共源共栅结构和嵌入式运算放大器,具有芯片面积小和功耗低的优点。仿真结果表明,在标准0.18μmCMOS工艺下,该电路可在0.75 V电源电压下工作,输出电压为563 mV。在-40~125℃范围内,电压温度系数仅为17.5×10^-6/℃。电源电压范围在1.2~1.8 V时线性灵敏度为569.5×10^-6/V,电源抑制比可达到66.5 dB@100 Hz,最高功耗仅为187.4 nW。 相似文献
10.
《实验室研究与探索》2016,(10)
研究常用静电放电防护器件氧化锌压敏电阻的静电放电防护性能,设计了一套静电放电防护器性能测试方法,搭建相关测试平台。研究了该保护器件及其组合网络对静电放电脉冲的响应规律及特点,分析了动态导通电阻、箝位电压、响应峰值电流等参数与其静电放电防护能力的关系,并给出了最佳防护方案。该研究为电路设计时选取氧化锌压敏电阻作为静电放电防护器件提供了参考。 相似文献