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以MOSFET作为主要功率开关管,应用于200 V输入的全桥逆变电路中,分析了电路的工作特点及MOSFET驱动电路的设计要求,以及针对开通关断过程所需的电气特性,设计了一种采用光耦隔离、IR2113控制的MOSFET高速驱动电路.实验结果证明了设计的可行性,测试数据和波形该MOSFET驱动电路具有电气隔离性能优良、驱动能力和抗干扰能力强等特点,目前该电路已成功应用在一台逆变器实验样机中,运行稳定.电路设计对IGBT等其他电压控制型功率开关器件的驱动也有一定的借鉴意义. 相似文献
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针对功率MOSFET关断时寄生参数对死区时间的影响问题,基于SIMPLIS仿真软件和MOSFET的特点,建立MOSFET的仿真分析模型,并研究MOSFET寄生参数与电路中米勒平台及关断时间的关系。建立MOSFET的寄生电容分段线性模型,应用Matlab软件实现参数的对比分析,根据内部器件的工作原理确定其转移特性和输出特性,利用图像数据获取MOSFET的等效模型,采用MOSFET搭建LLC谐振变换器电路,通过不同条件下的仿真实验,得到寄生参数的影响规律。一系列的仿真训练能够有效提高学生的仿真实践能力。 相似文献
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提出了一套小型电动车控制电路中针对功率场效应MOSFET管的保护电路设计方案。指出只要能保证控制电路中MOSFET管的安全,就能保证电动车在运行中的安全。详细介绍了我们设计的小型电动车控制电路中针对功率场效应MOSFET管过热、过流(短路)和失控保护电路的保护原理和具体电路。 相似文献
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针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题，设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构，通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管，在不使器件的其他电学特性退化的基础上，改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件，对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明，与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比，新结构的反向恢复特性明显改善，反向恢复时间减小了48.8%，反向恢复电荷减小了94.1%，反向峰值电流减小了82.4%。 相似文献
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曹庆生 《武汉工程职业技术学院学报》2010,22(1):25-30
采用单片机控制MOSFET驱动模块,实现正弦波变频。使用MOSFET(IGBT)专用驱动芯片IR2302简化电路设计,采用了AT2402存储芯片,以便保存用户设置。 相似文献
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半导体激光器恒流驱动电路的研制 总被引：1，自引：0，他引：1
阐述了大功率半导体激光器恒流源的设计方法.该恒流源采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.应用结果表明该恒流源对激光器安全可靠,输出电流的短期稳定度达到1×10-5. 相似文献
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采用三维封装结构取代传统的平面封装结构可获得高性能集成电力电子模块.在实验室完成由2只芯片尺寸封装MOSFET和驱动、保护等电路构成的三维封装半桥IPEM.从互连焊点形状的优化和封装工艺过程参数的控制出发,进行IPEM的可靠性控制.采用阻抗分析仪Agilent 4395A测量IPEM的寄生参数,建立了半桥IPEM的寄生参数模型;采用半桥IPEM构成12V/3A输出的同步整流Buck变换器,2只MOSFET的漏源极尖峰电压小,说明HB-IPEM的三维封装结构有效减小了寄生电感.运用Flotherm软件对半桥IPEM进行了热分析,给出了温度分布仿真结果.焊料凸点传热使芯片的最高结温明显降低,三维封装结构实现了良好的热设计. 相似文献
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详细介绍了推挽正激(Push-Pull Forward,PPF)电路拓扑结构的工作原理,阐述了场效应管(MOSFET)驱动线路的设计.在理论分析的基础上成功研制了一台功率为1KW的车载电源转换器,通过对实验结果和波形的分析证实,推挽正激拓扑结构具有效率高、电磁干扰小、可靠性高等优点. 相似文献
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随着集成电路工艺的不断革新,集成电路器件的尺寸不断减小,当MOS管的尺寸小到一定程度时,会出现短沟道效应,此时MOS管特性与通常相比有很大不同。本文介绍了描述短沟道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述语言VHDL-AMS对短沟道MOS管进行了行为建模,并利用混合信号仿真器SMASH5.5对模型进行了仿真,将短沟道MOS管模型特性与一般模型特性作了比较。 相似文献
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INTRODUCTIONRecently ,thehighfrequencyperformanceofCMOShavebeenimprovedsignificantlyinthelowgigahertzfrequencybands,makingitagoodcandidatefortheintegrationofbothdigitalandanalogchips.However,performances,suchasnoiseandlinearitycharacteristics,mustbeana ly… 相似文献
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Noise and linearity performances are critical characteristics for radio frequency integrated circuits (RFICs), especially
for low noise amplifiers (LNAs). In this paper, a detailed analysis of noise and linearity for the cascode architecture, a
widely used circuit structure in LNA designs, is presented. The noise and the linearity improvement techniques for cascode
structures are also developed and have been proven by computer simulating experiments. Theoretical analysis and simulation
results showed that, for cascode structure LNAs, the first metallic oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) dominates
the noise performance of the LNA, while the second MOSFET contributes more to the linearity. A conclusion is thus obtained
that the first and second MOSFET of the LNA can be designed to optimize the noise performance and the linearity performance
separately, without trade-offs. The 1.9GHz Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) LNA simulation results are also
given as an application of the developed theory. 相似文献
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以ARM Cortex-M3单片机为搜救机器人的控制器,以N沟MOSFET来设计可控制大电流电机的电机驱动器,全面提高了搜救机器人的性能。 相似文献
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Multisiim2001在电力电子仿真技术中的应用 总被引：8，自引：0，他引：8
范爱平 《实验室研究与探索》2004,23(5):11-13
本文介绍电路分析与设计软件Multisim2001的性能及特点,重点介绍它在电力电子电路计算机仿真中的应用。该软件提供了晶闸管、IGBT、功率MOSFET等多种电力电子器件模型、非常丰富的信号源和多种虚拟仪器,且绘制电路方便,分析功能齐全,为电力电子电路的计算机仿真提供了一种新方法。 相似文献