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1.
本文研究了熔盐法合成的PMN-PT粉末的烧结特性，以及合成工艺对PMN-PT陶瓷致密度，显微结构和介电性能的影响。结果显示，熔盐合成的粉料具有较小的颗粒尺寸和良好的分散性，能够降低陶瓷的烧结温度，在1150～1180℃范围烧结可得到致密度≥96％的PMN-PT陶瓷。在1100～1200℃烧结温度范围，硫酸盐熔盐体系制备的陶瓷呈沿晶断裂，而氯化物熔盐体系制备的陶瓷均呈穿晶断裂。在相同的烧结温度下，氯化物熔盐制备的陶瓷的晶粒尺寸明显大于硫酸盐熔盐体系的陶瓷的晶粒尺寸。用熔盐法制备的组分为0．67PMN．0．33PT陶瓷具有优良的压电和介电性能。在1175℃／2h烧结条件下，制备的0．67PMN-0．33PT陶瓷的最大介电常数为29385，d33≈660pC／N。 相似文献
2.
介绍了一种新的无机材料粉体的制备方法—熔盐法,以及该方法的部分应用。以该方法制备无机材料粉体操作简便,合成温度较其它合成方法低,合成的产物纯度高,且通过调整原料与盐的比例、熔盐的种类以及合成温度还可以控制粉体颗粒的形貌与尺寸。该方法具有很广阔的应用前景。 相似文献
3.
BNT无铅压电陶瓷体系的设计及制备工艺研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文采用传统陶瓷工艺,制备得到Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5TiO3(简称BNKLT)无铅压电陶瓷,运用X射线衍射、扫描电子显微镜对其进行了分析表征;通过压电、介电性能的对比,讨论了烧结温度对BNKLT陶瓷的影响:运用热分析及X射线衍射等手段,确定了粉体的热处理温度,并讨论了烧结温度对BNKLT陶瓷性能的影响;通过最终所得陶瓷的性能对比,确定制备的较优工艺参数. 相似文献
4.
研究了中温烧结的BaO—TiO2～Nd2O3系陶瓷的介电性能。实验结果表明,在这一系统中分别或联合掺入适量的PbO、Bi2O3、CuO、V2O5、2Bi203·3TiO2和Bi2O3·2TiO2可以降低系统的烧结温度,拓宽烧成温度范围,并有助于改善介电性能,增大介电常数,从而得到了介电性能优良的高频陶瓷材料。 相似文献
5.
本实验采用无压液相烧结工艺,以三种不同配比的Mg O-Ce O2-Y2O3体系为烧结助剂,烧结温度为1800℃、1850℃和1900℃,Ar气氛保护的条件下,保温2h制备了Si C复合陶瓷。主要研究了助烧剂Mg O、Ce O2、Y2O3的不同配比和不同烧结温度对陶瓷体的物相组成、显微组织结构的影响,结果表明:陶瓷体的主晶相均为6H-Si C,有少量的铈和钇的化合物的衍射峰存在;随着烧结温度的升高,陶瓷体孔隙逐渐减小,颗粒与颗粒连接逐渐紧密,在1900℃时可以清晰看出颗粒与颗粒之间存在大量液相,边界趋于模糊,孔隙最少。 相似文献
6.
《科技风》2020,(20)
以ITO气化粉和进口湿法粉作为原始粉,在相同的工艺条件下,制备出ITO靶材,对比研究了两种不同原始粉对烧结后靶材微观结构的影响,结果表明:当在0.6MPa氧气氛,1530℃、1550℃保温20h条件下烧结,湿法粉和气化粉靶材密度均较高且差异很小,靶材晶粒尺寸基本相当,气化粉靶材晶内小微粒尺寸较湿法粉小,但小微粒聚集程度高于湿法粉靶材;当在常压氧气氛,1550℃保温20h条件下烧结,湿法粉靶材密度高于气化粉,靶材晶粒尺寸基本相当,存在个别较大晶粒,湿法粉靶材已致密,而气化粉靶材未完全致密化,二者晶内小微粒形貌和尺寸差异仍比较明显,气化粉靶材晶内单独的小微粒尺寸同样较湿法粉小,但聚集程度仍高于湿法粉。 相似文献
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8.
CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)是近年被广泛关注的一种非铁电性的新型高介电氧化物,采用传统的固相反应,通过对反应温度和恒温时间的组合,成功制备了巨介电常数陶瓷CaCu_3Ti_4O_(12)样品,并对其合成温度,微观结构,烧结温度与微观结构关系,介电频谱进行分析。 相似文献
9.
本文介绍了以硝酸铁和硝酸铋为原料,采用溶胶凝腋(Sol-gel)方法和快速液相烧结法在不同烧结温度下(650℃,700℃,750℃,800℃)制备了10%A位La掺杂的Bi0.90La0.10FeO3(BLFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的晶格结构及其铁电和漏电性能.1结果表明烧结温度是影响BLFO陶瓷结构,铁电和漏电流性能的重要因素之一,当烧结温度为750℃时,BLFO陶瓷具有较少的杂相和典型的电滞回线,当电场强度为175kV/cm时,其剩余极化值(2Pr)为3.5μC/cm2,同时具有较小的漏电流密度. 相似文献
10.
本文采用亚微米级碳化硅细粉,加入少量合适的烧结添加剂,用干压成型及无压烧结这两个简单易行的工艺制备出碳化硅陶瓷样品,研究了不同烧结温度工艺下碳化硅陶瓷烧结体的密度：通过对烧结体密度的测量,烧失率和线收缩率的计算及显微组织形貌的观察发现,当添加了适当含量烧结助剂碳和硼时,烧结温度约为2200℃时碳化硅陶瓷有最大的密度,约为2170℃时有最小的烧失率,为2130℃时,线收缩率最小。随着烧结温度升高,碳化硅陶瓷烧结体的微孔数量呈下降趋势,烧结体微孔的深浅程度呈上升趋势。 相似文献