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研究了纳米硅在3K-250K温度范围的光致发光谱的特性。观测到纳米硅的三个发光峰,其中心波长分别为470nm、479nm和487nm。随着温度的升高,470nm的发光峰呈现蓝移且强度明显增强,479nm的发光峰位不随温度的变化而变化,487nm的发光峰随温度的升高出现微小的红移。基于量子限制效应,提出综合发光模型解释实验结果。 相似文献
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红光器件是通信领域各种光纤跳线、尾纤以及光纤线路维护等的重要捡测工具。而目前,红光光源的制备材料均为三五族材料的化合物半导体,如掺磷砷化镓等。为了降低成本研究制备出硅基红光光源是非常好的选择。本文中介绍了应用常规的等离子体增强化学气相淀积技术制备基于碳化硅的Fabry—Pemt结构全固态一维平面微腔。在488nm的激光激发下得到线宽为11nm,品质因子为59,峰位在646nm的发光谱线。与有源层的发光相比强度增强了2倍。为实现硅基光源在通信领域的应用奠定了基础。 相似文献
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将纳米硅基氧化物作为水泥土的外掺剂,作者在大量试验的基础上,研究了纳米水泥土抗压强度的影响因素和变化规律,初步探讨了纳米硅增强水泥土的机理,提出了纳米硅与水泥土相互作用的观点,得出了一些重要结论。 相似文献
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随着电动汽车的快速发展,对锂离子电池的负极材料有了越来越高的要求。目前商用锂离子电池的负极材料还是以石墨为主,但是石墨负极的理论比容量较低(为372 mAh/g),严重限制了锂离子电池的能量密度。硅的理论比容量高达4 200 mAh/g,被认为是最有前途的锂离子电池负极材料之一。然而,硅负极材料在锂化的过程中会伴随着巨大的体积膨胀效应,导致电极材料破裂和粉碎,从而大幅度降低电池的循环稳定性,并且硅的电导率不理想,也限制了其倍率性能和循环性能。用石墨烯对硅负极材料进行改性,有望缓解其电极材料的体积膨胀以及导电性差的难题。本文重点阐述了石墨烯对于硅基负极材料的性能提升机理,期望对未来石墨烯改性硅基负极材料的制备和研究提供思路。 相似文献
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SnO2是一种重要的宽能级n型半导体金属氧化物,是一种重要的功能材料。制成的SnO2纳米棒可以在传感器方面发挥很大用途,在透明导电薄膜、太阳能电池电极、光催化剂等方面发挥重要作用。实验采用多孔硅为模板,使用直流磁控溅射的方法,向多孔硅的孔柱内溅射Sn,使孔柱内生长了一定厚度的Sn膜。然后进行氧化工艺,生成SnO2。再进行刻蚀工艺,将多孔硅表面的SnO2膜腐蚀掉,再腐蚀一段多孔硅模板,露出一段SnO2柱,在模板上生长出SnO2纳米棒。 相似文献
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专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献
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水溶性纳米聚硅入井后遇盐破乳,吸附于岩石表面,使其由亲水性转变成疏水性,从而减小了注水流动阻力,疏水表面阻止了水的侵入,避免了粘土膨胀和水垢的附着,可大大延长增注有效期。相比油基纳米聚硅携带成本低,且不会造成涂料油管涂层脱落而导致堵塞分层注水水嘴。 相似文献