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1.
研究了铁电─驻极体复合材料的受辐射效应，发现吸收一定累积剂量的γ辐射后，复合材料的体电阻ρ、介电常数ε、纯热释电系数ｐ、压电常数ｄ３３的数值和热电驰豫、极化驰豫特性都将发生变化。一种复合材料存在两个累积辐射剂量数值界限：ｒ０和Ｒ０。当累积辐射剂量小于并接近ｒ０，复合材料的ρ、ε、ｐ和ｄ３３的衰减趋势与自然老化基本相同；当累积辐射剂量大于Ｒ０，复合材料将永久损伤。本文从理论上分析了γ辐射的电离作用导致复合材料内部局域态分布的改变是产生上述辐射效应的主要原因。 相似文献
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本文研究了新型铁电复合材料ATGS-PVDF受γ辐射效应。实验发现当吸收一定累积辐射剂最后，复合材料的体电阻ρ、电容率ε、纯热释电系数P和热电驰豫时间τ都将发生变化。还发现对于此复合材料存在两个辐射剂量的数值界限R1和R2。当累积辐射剂量小于或接近RI时，复合材料的ρ、ε、P和τ的变化趋势与自然老化规律基本相同；当累积辐射剂量达到或超过R2后，复合材料将产生永久听见伤。本文从理论上分析了γ辐射的电离效应在复合材料中产生的正负电离电荷和局域辐射势阱是复合材料产生上述辐射效应的主要原因。 相似文献
3.
本文研究了新型铁电复合材料ATGS-PVDF受γ辐射效应.实验发现当吸收一定累积辐射剂量后,复合材料的体电阻ρ、电容率ε、纯热释电系数P和热电驰豫时间τ都将发生变化.还发现对于此复合材料存在两个累积辐射剂量的数值界限R1和R2.当累积辐射剂量小于或接近R1时,复合材料的ρ、ε、P和τ的变化趋势与自然老化规律基本相同;当累积辐射剂量达到或超过R2后,复合材料将产生永久损伤.本文从理论上分析了γ辐射的电离效应在复合材料中产生的正负电离电荷和局域辐射势阱是复合材料产生上述辐射效应的主要原因. 相似文献
4.
本文研究了掺A1或掺Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚偏氟乙烯（PVDF）基导电开关型复合材料的受γ辐射效应。发现吸收一定剂量的γ辐射后,材料的开关电压阈值Vk降低。并发现导电开关型复合材料存在三个累积辐射剂量界限：γ0、γ1和γ2。当累积辐射剂量小于γ0,复合材料Vk数值的变化与自然老化相似;当累积辐射剂量大于γ0但小于γ1,材料的开关性能变差,但停止辐射后经历一段时间后可以自行基本恢复;当累积辐射剂量大于γ1但小于γ2,材料的导电开关性能消失;当累积辐射剂量大于γ2后,材料将永久损伤。本文从理论上分析并验证了γ辐射的电离效应和量子隧道效应的叠加作用是产生复合材料上述受辐射效应的主要原因。 相似文献
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数学是学习物理的必备工具 ,数学知识、数学思想方法在物理解题中有着广泛的应用 ,尤其是在物理极值问题的求解中。下面结合例题谈谈数学思想方法在物理极值问题求解中的应用 .一、运用基本不等式解物理极值问题例 1 一电动势为ε,内阻为ｒ的电源 ,当外电路电阻Ｒ为多大时 ,电源输出功率最大 ?分析 :要满足题目要求 ,只须列出输出功率关于外电阻Ｒ的函数表达式 ,转化为数学问题 ,再求该函数式的最值即可 .解 :设输出功率为Ｐ ,则 :Ｐ =Ｉ2 Ｒ =[ε/ (Ｒ ｒ) ]2 ·Ｒ =ε2 / [Ｒ (ｒ2 /Ｒ) 2ｒ]≤ε2 / [2Ｒ· (ｒ2 /Ｒ) 2ｒ]=ε2 / 4… 相似文献
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一、公切线条数问题设两圆的半径分别为Ｒ、ｒ,圆心距为ｄ ,则 :(1 )ｄ >Ｒ +ｒ 两圆外离 有 4条公切线 ;(2 )ｄ =Ｒ +ｒ 两圆外切 有 3条公切线 ;(3 )Ｒ -ｒ<ｄ <Ｒ +ｒ(Ｒ≥ｒ) 两圆相交 有 2条公切线 ;(4 )ｄ =Ｒ -ｒ(Ｒ >ｒ) 两圆内切 有 1条公切线 ;(5 )ｄ <Ｒ -ｒ(Ｒ >ｒ) 两圆内含 无公切线 .此外 ,当Ｒ =ｒ时 ,两圆不存在内含、内切的关系 .例 1 已知⊙Ｏ1 和⊙Ｏ2 的直径分别为4ｃｍ和 2ｃｍ ,圆心距为 6ｃｍ ,则两圆的公切线有条 .(2 0 0 1年江苏省盐城市中考题 )分析 ∵ Ｒ +ｒ=12 ×4+12 ×2 =3 ,ｄ =6,∴ ｄ >Ｒ +… 相似文献
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王心 《中小学实验与装备》1997,(3)
伏安法测定ε、γ实验电路的探讨湖北省郧西县第一中学（４４２６００）王心高中物理在“用伏特表、安培表测定电池的电动势和内阻”实验中，所得到的电动势ε、内阻γ是把伏特表、安培表看成理想仪表（即认为伏特表内阻Ｒγ→∞、安培表内阻ＲＡ→０）的近似计算值。实际... 相似文献
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１不等式“（ａ—ｂ）２≥０”直接在解题中应用 ［例１］如图１所示，电阻 ｒ１≠ ｒ２，当 Ｓ断开时， ａ、 ｂ两点间的总电阻力 Ｒ１；当 Ｓ闭合时，ａ、ｂ两点间的总电阻力Ｒ２．则有： （Ａ）Ｒ１＞Ｒ２． （Ｂ）Ｒ１＜Ｒ２． （Ｃ）Ｒ１＝Ｒ２．（Ｄ）无法确定． 解：当Ｓ断开时，ｒ１与ｒ２先串联后再相互并联，Ｒ１当 Ｓ闭合时，ｒ１与ｒ２先并联后再串联， Ｒ２＝作 Ｒ１、Ｒ２的差：故有Ｒ１＞Ｒ２，答案为Ａ．２不等式“（ａ—ｂ）２≥０”经变形为ａ２＋ｂ２≥２ａｂ后再加以应用 ［例２］如图２所示，一根长４ｍ的木杆，下端用… 相似文献
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小鼠经腹腔注射０．３３ｍｇ／ｋｇ、１．０ｍｇ／ｋｇ、３．０ｍｇ／ｋｇ的偏钒酸钠（ＮａＶｏ３），染毒第二、四、六周末每组随机取５只小鼠经股动脉取血，按常规计算血细胞及血红蛋白（Ｈｂ）含量的变化。结果表明：染毒第六周末，ＮａＶｏ２对红细胞（ＲＢＣ）影响最明显，各剂量组与对照组比较均有高度显著性差异（ｐ＜Ｏ．０１）。而白细胞（ＷＢＣ）明显减少仅见于３．０ｍｇ／Ｋｇ组（Ｐ＜０．０１）。血小板（ｐｔ）１．０ｍｇ／ｋｇ、３．０ｍｇ／ｋｇ组均明显减少（Ｐ＜０．０１）。Ｈｂ含量，染毒第二周末，各剂量组均降低（Ｐ＜０．０５）。第四、六周末１．０ｍｇ／ｋｇ、３．０ｍｇ／ｋｇ有显著降低（Ｐ＜０．０１）。呈现良好的剂量效应关系。 相似文献
10.
非晶材料驰豫过程中杨氏模量的唯象研究 总被引：1，自引：0，他引：1
从晶态材料驰豫过程中模量的唯象描述的基本思想出发，同时考虑到近年来对非晶材料驰豫规律的种种研究，将传统的构造力学参数模型作了驰豫单元的作法与现在流行的双能级模型统一起来，对非晶材料驰豫过程中的杨氏模量进行了唯象处理，得到了与以往不同的驰豫规律。 相似文献
11.
本文研究了掺Ａｌ或掺Ａｇ微粉的聚丙烯基和聚偏氟乙烯基导电开关型复合材料的受γ辐射效应。发现吸收一定剂量的γ辐射后,材料的开关电压阈值Ｖｋ降低。 相似文献
12.
设ｆ为超越亚纯函数，Ｒ（ｚ）为有理函数，Ｆ．Ｇｒｏｓｓ和Ｃ．Ｃ．Ｙａｎｇ在［１］中猜测：当Ｒ（ｚ）分子，分母最高次数≥３时，Ｒ（ｆ）有无穷个不动点，并指出附加上条件Ｎ（ｒ，ｆ）＝Ｓ（ｒ，ｆ）时结论是成立的。Ｃ．Ｃ．Ｙａｎｇ在［２］中附加条件Ｎ（ｒ，ｆ）＝Ｓ（ｒ，ｆ）后证明了这一结论的正确性。本文减弱了这一附加条件。本文还改进了Ｃ．Ｃ．Ｙａｎｇ的另些结果和Ｇ．Ｐ．Ｂａｒｋｅｒ，Ａ．Ｐ．Ｓｉｎｇｈ关于 相似文献
13.
设ｆ为超越亚纯函数，Ｒ（ｚ）为有理函数，Ｆ．Ｇｒｏｓｓ和Ｃ．ＣＹａｎｇ在［１］中猜测：当Ｒ（ｚ）分子，分母最高次数≥３时，Ｒ（ｆ）有无穷个不动点，并指出附加上条件Ｎ（ｒ，ｆ）＝Ｓ（ｒ，ｆ）时结论是成立的．Ｃ．Ｃ，Ｙａｎｇ在［２］中附加条件Ｎ（ｒ，ｆ）＝Ｓ（ｒ，ｆ）后证明了这一结论的正确性，本文减弱了这一附加条件。本文还改进了Ｃ．Ｃ．Ｙａｎｇ的另些结果和Ｇ．Ｐ．Ｂａｒｋｅｒ，Ａ．Ｐ．Ｓｉｎｇｈ关于微分方程亚纯解的两个结果． 相似文献
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弛豫法是研究快速反应动力学问题的一种新的实验技术。本文简要介绍了用跳浓驰豫法以ＡｇＮＯ３溶液为干扰剂干扰ＣｒＯ４＾２－－Ｃｒ２Ｏ７＾２－反应步骤中的快反应的方法，并用以测定ＣｒＯ４＾２－－Ｃｒ２Ｏ７＾２－反应速率常数。 相似文献
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郑春华 《湖南科技学院学报》2007,28(4):16-18
考虑第一个光学声子模式的影响,我们计算了碳纳米管的Umklapp过程的声子驰豫率和热导率。计算结果表明第一个光学模式能够极大地增强声子驰豫率。随着碳纳米管管径的增大,考虑和不考虑第一个光学声子模式所得到的驰豫率的差异将逐渐增大。此外,驰豫率的增大导致了驰豫时间和热导率的降低,并简要地分析了第一个光学声子模式对于热导率的影响。 相似文献
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考察了硫化温度和过氧化物浓度对交联动力学、物理性能以及由平衡溶胀法测定的交联键 数目的影响，发现含１份ＤＣＰ用量的硫化胶整个硫化反应满足一级反应；当ＤＣＰ用量为２份或 ３份时，硫化反应的动力学过程已有变化，满足零级反应：含３份ＤＣＰ的试样，１６０℃下硫化的硫 化胶的Ｖｒ比１４０℃下硫化的试样的Ｖｒ高，含１份ＤＣＰ试样在两种温度下都产生类似的Ｖｒ值。认 为由ＤＣＰ引发ＰＢＲ交联的机理与硫化温度和过氧化物浓度有关；在低温和低ＤＣＰ浓度下，主要 是通过过氧化物自由基脱除烯丙基氢的机理实现橡胶的交联；当硫化温度升高，过氧化物含量增 加时，则主要通过过氧化物自由基加成到聚合物双键的二次反应机理实现交联的。 相似文献
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“串反并同”是指在电源内阻不可忽略的条件下 ,电路中与变化电阻串联的用电器 ,其电流、电压、功率 (或电流表、电压表示数 ,灯泡发光的亮度等 )的变化均与电阻变化规律相反 ;而与变化电阻并联的用电器 ,其电流、电压、功率等的变化均与电阻变化规律相同 .运用此法进行电路动态分析简捷、方便 ,起到了事半功倍的作用 .例 1 如图所示 ,变阻器滑片Ｐ向Ｂ移动时 ,Ｖ1读数将变 ;Ｖ2 读数将变;Ｖ3 读数将变 ;Ａ1读数将变 ;Ａ2 读数将变.常解 :当滑动变阻器滑片Ｐ由Ａ向Ｂ滑时 ,Ｒ变大 ,电源外电阻变大 ,由Ｉ =εＲ外 ｒ推知电路中总电流变小 ,… 相似文献
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研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应。发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Vio、Iio、IB 、IB-等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理。这些电参数可以基本恢复。斩波式自动稳零型CMOS集成运算放大器抗γ辐射能力较强。集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤。 相似文献
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本文研究了^60Co-γ射线对枳种子的辐射生物学效应，结果表明：^60Co-γ射线对枳的发芽、出苗和生长的抑制随着剂量的加大而增强，相对电导率也随剂量的加大而增加，各处理都能不同程度地诱导白化苗、畸形苗等变异性状的产生。辐射半致死剂量(LD50)为9KR左右，临界剂量(LD40)在7KR附近． 相似文献