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1.
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描透射电子显微镜(HR—STEM)测量样品的纳米结构．并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件进行精细结构模拟．并测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL谱。在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构．首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时问和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好． 相似文献
2.
用光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察Al-Si合金中硅相形貌在固溶过程中的变化, 并研究了此变化对合金力学性能和断裂行为的影响. 结果表明: 固溶初期 (250 min), 硅相发生缩颈、钝化、溶断并伴随长大; 在固溶中期(250～400 min), 其形貌没有发生显著变化, 仅球化程度更高; 600 min后, 硅相的长大是受扩散控制的粗化过程, 且符合LSW粗化模型; 同时由于出现棱角小面及搭接特征使硅相形貌有所恶化. 定量金相测量及回归分析说明硅相的形貌对合金的力学性能和断裂行为有显著影响. 相似文献
3.
周志文叶剑锋李世国 《深圳信息职业技术学院学报》2015,(3):5-10
为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28,厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底,应变弛豫度达到99%,表面没有Cross-hatch形貌,表面粗糙度小于2 nm,位错密度低于105 cm-2。 相似文献
4.
用电沉积方法制备了NiCoCr泡沫合金,研究了镀液组份对泡沫合金组分的影响,随着镀液中CrCl3.6H2O浓度增加,镀层Cr含量也增加;合金在不同的温度下进行了热处理,合金在617.85 oC、880.29 oC和1052.37 oC发生了相态转变;研究了热处理温度对合金的高温抗氧化性影响,在885 oC处理后,合金的高温抗氧化性能最好;同时还研究了合金中Cr含量对合金的高温抗氧化性的影响,随着Cr含量的增加,合金高温抗氧化性能增强. 相似文献
5.
《天津工程师范学院学报》2008,18(1):F0002
本项目《脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究》涉及的学科领域是微电子薄膜材料,主要内容是脉冲激光制备用于集成电路（IC）纳米超浅的源、漏结接触材料的硅／锗硅的过渡金属化合物及其特性。 相似文献
6.
用电沉积方法制备了Fe-Ni-P合金,研究了NaH2PO2·H2O的浓度对镀层组分的影响,镀层中磷含量与合金结构的关系,用数字电桥测量了合金的电阻率.在高频(3000Hz)下,用三电压法测量了合金的磁导率,探讨了镀层中磷含量对合金软磁性能的影响,结构与性能的关系. 相似文献
7.
王玉清 《实验室研究与探索》2009,28(4)
对二极管电流方程中m值的测定进行了实验研究.结果表明,m值随正向电压变化而变化.对于锗二极管,m存在一个最小值;对于硅二极管,m值随正向电压的增大而减小. 相似文献
8.
9.
吴涛 《常熟理工学院学报》2009,23(8):45-49,57
根据稠密气体运动学理论,运用随颗粒速度而变化的自由程理论计算了两组分混合颗粒流的有效热导率．当Biot数小于0．1时,解析结果可适用Blot数和Fourier数的乘积（BiFo）的整个范围．在适当BiFo数的条件下,讨论了组分颗粒浓度、总的颗粒固体体积百分含量v和BiF0数对热导率的影响,结果表明增加小颗粒的浓度或减少小颗粒的尺寸可提高混合颗粒流的有效热导率． 相似文献
10.
微量元素对种子萌发的调控研究 总被引：1，自引：0，他引：1
通过研究铜、锌、锗、硅、汞等五种元素对植物种子萌发作用的实验,旨在了解适量的微量元素对植物种子萌发中酶的活性及代谢作用的进程影响,以及过量的微量元素对植物种子萌发的毒性效应,为早期预报重金属对植物的毒害,为环境监测中评价重金属污染程度提供理论依据． 相似文献