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相似文献
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1.
通过求解能量本征方程,得到弱磁场作用下的二维势阱中电子的本征能量及其波函数,进而以基态和第一激发态波函数构造了一个量子比特.数值计算结果表明,量子比特内电子的空间概率密度随空间坐标和时间的变化而变化,在阱的边缘处出现的概率值为零,在其他位置相对较大;各个空间点的概率密度均随时间做周期振荡,振荡周期与阱宽有关,与外磁场无关,它随阱宽的增加而增大.  相似文献   

2.
提出了采用Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱结构制备Ge材料直接带隙发光器件的设计方法。基于量子力学理论,设计得到不同量子阱宽度下的能级分布情况以及载流子在Γ1-HH1之间的复合随量子阱宽度的变化趋势。设计结果给出了具体的能级与波函数的分布情况,可为实验制备Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱发光器件提供理论指导。  相似文献   

3.
《集宁师专学报》2013,(3):109-114
考虑到纤锌矿氮化物抛物量子阱(PQW)材料中空穴有效质量和光学声子模的各向异性、声子频率随波矢变化的效应,作者利用LLP变分法研究了纤锌矿抛物量子阱中激子的能级。结果表明:轻空穴激子的基态能量和结合能高于重空穴激子的相应值;抛物量子阱中激子的基态能量和结合能随量子阱宽度和Al组分变化的规律和方量子阱中是一致的。  相似文献   

4.
本文利用求解能量本征方程方法,研究了无限深球方势阱中单粒子的能级结构和量子比特的性质.理论推导和数值计算表明,无限深球方势阱中粒子的能量随球半径的增大而减小;量子比特的振荡周期由粒子质量和球半径决定,且随球半径的增大而增大;量子比特内粒子的概率密度随空间坐标的变化而变化,各空间点的概率密度均随时间做周期性振荡.  相似文献   

5.
从发光的定义及基本方式出发 ,论述了发光的重要理论基础 ,扼要介绍了微腔发光、量子阱及超晶格发光、多孔硅发光、纳米材料、上转换及量子剪裁现象、闪烁晶体中的交替发光机制、有机场致发光、蓝光及紫外光的获得、存储技术、灯用材料、平板显示及近场显微技术等方面的近期研究进展 ,展望了今后发光学值得注意的研究方向  相似文献   

6.
将双轴对称Fe8铁磁颗粒在难轴方向加磁场的隧穿问题,用等效势方法化简为常质量的粒子在等效势阱中运动的粒子,然后利用周期瞬子方法计算基态能级劈裂.结果表明随外场的增大,能级分裂作周期性变化.  相似文献   

7.
利用4×4传输矩阵法研究椭圆偏振光在反射型一维磁光光子晶体中的传输特性.设计一种反射型一维磁光光子晶体的结构模型,讨论反射光偏振态的磁场调控特性,分析外加磁场的强度和方向对反射光偏振态的影响.结果表明:改变外加磁场的强度和方向,磁光材料的介电常数发生改变;随着外加磁场强度的增大,磁光材料的相对介电常数ε_M中的ε_2的值在(0~0.009)变化,反射率逐渐增大,反射的椭圆偏振光的偏振态发生改变;随着外加磁场与光轴的夹角φ在(0°~90°)变化,反射率逐渐减小,反射的椭圆偏振光的偏振态发生改变;通过调节外加磁场的强度和方向,可以实现对反射椭圆偏振光偏振态的调控.  相似文献   

8.
本文应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系,得到了在抛物线型势阱中二维电子气的能级宽度。基于上述计算结果发现抛物线型势阱中的二维电子气的能级比三角形势阱中的相应能级要低,同时抛物线型势阱中的二维电子气的能级宽度随着电场的增强而增大。  相似文献   

9.
本文报道了对A—SiNx:H/A—Si:H超晶格材料X射线和光学性质等方面的研究。提出一个非晶超格材料X射线衍射模型,和实验符合得较好,由此得到一个根据衍射峰相对强度获得界面情况的简单方法。观察到量子阱效应使光学带隙移动,发光峰移动,发光强度增大等现象。  相似文献   

10.
给出了单电子量子同心环基态能量E(0,0)随磁场和势垒的变化规律,并对变化规律进行分析.结果表明,单电子量子同心环基态能量随磁场增大而增大,由于磁场的存在,原来的基态能级分裂成三个能级.由于量子同心环中势垒的存在,使得单电子量子同心环基态能量增大,基态能量随势垒的增大而增大.  相似文献   

11.
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失.能量曲线的极小值位置r∞随着B的增加而减小,随着mt增大而增大.能级随着谐振子势wh的增大而增大.不同能级曲线Enr,mt——wh出现交叉现象.当量子环较大时,E即%——B曲线.随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象.  相似文献   

12.
Energy Levels of Strong Coupling Magnetopolaron in Quantum Dot   总被引:12,自引:0,他引:12  
By using variational method of Pekar type,we have studied the energy levels of strong coupling magnetopolaron in diskshape quantum dot(QD) and quantum well(QW),our esults show that ,with the increasing magnetic field and confinement strength,the magnetopolaron binding energy of QD and QW in the ground state and in the excited state is enhanced.The limiting results of bulk type and strict two-dimensional type are obtained.  相似文献   

13.
该文采用量子理论分析均匀的外磁场中带电粒子的运动情况,及相应概率流密度的计算.对于存在于原子系统的电子,由于磁矩的存在与磁场相互作用,能级发生分裂.自由运动的带电粒子,当处于均匀磁场中时,通过多种情况分析发现在垂直磁场矢势的平面内粒子做自由运动,在一固定点出现了粒子流恒定的现象,而平行矢势方向做简谐振动,粒子流恒为零.  相似文献   

14.
Co60.15Fe4.35Sil2,5B15非晶合金进行低频脉冲磁场处理,当脉冲频率固定,脉冲磁场强度为2500e时观察到较大的GMI效应。研究了脉冲磁场作用产生巨磁阻抗的机理:脉冲磁场作用产生的磁致伸缩能降低了非晶合金的形核势垒,使非晶合金得以纳米晶化,进而提高了材料的软磁性能,获得较大的GMI效应。  相似文献   

15.
考虑两核之间的相互作用,采用单中心展开方法,用B-splines基函数将氢分子离子的波函数在径向和角向同时展开,计算超强平行外磁场中氢分子离子的能级与磁场强度的关系,两核间的平衡距离随磁场变化规律.计算结果表明:磁量子数-m越大,R——γ曲线下降越快,氢分子离子越容易被压缩;磁场越强,塞曼能级也就越低,当磁场γ大于500时,R——γ曲线近似为直线。  相似文献   

16.
利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到:无磁场情况,对于|m|=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可以近似作为微扰项来处理;对于|m|≥0,r0〈60 nm,不可以采用微扰法.当r0〉90 nm时,库仑势可以近似作为微扰项来处理,但误差很大.当磁场B增加时,类氢杂质能量的量子尺寸效应出现明显变化,当r0〉90 nm时,量子环中类氢杂质能量快速上升.  相似文献   

17.
采用线性组合算符及幺正变换的方法研究了量子阱中强耦合磁极化子的性质。得出磁极化子基态能量与耦合强度,阱宽,磁场强度之间的关系。数值计算表明:对于强耦合磁极化子,振动频率随磁场强度的增加而增大。基态能量随回旋频率的增加而增大。磁极化子的基态能量随着阱宽的增大而减小,阱宽越小磁极化子的量子尺寸效应越明显。  相似文献   

18.
该文讨论解释安培力的两种机制:一是霍尔电场对离子的作用,以及晶格对霍尔电场的反作用机制。二是电流元等效为磁偶极子与外磁场相互作用的磁矩势能机制。两种机制都能正确推导出安培力公式。其结果与电磁学理论经典著作相一致。对洛仑兹力作功进行讨论。说明在磁场中运动导体机械能转化为电能的过程中,洛仑兹力充当传递者的作用。  相似文献   

19.
An effective-field treatment for the two dimensional Isingantiferromagent-antiferromagnetic superlattice(AFAFS)without external field is pres-ented.The critical temperature dependence of the number of laycrs of superlattice cell andthe temperature dependence of magnetization of each layer in the superlattice are investi-gated.The similarity of the magnetic properties of AFAFS and those offerromagnet-ferromagnetic superlattice(FFS)is also discussed.  相似文献   

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