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本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A/min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件. 相似文献
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本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析，并通过具体的工艺试验，最终得出了运用建中L42812-1／ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A／min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件。 相似文献
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一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W, 相似文献
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PECVD是太阳能电池制造过程中非常重要的工序,它的作用是在晶体硅表面形成一层起钝化和减反射作用的膜。本文主要研究SINA设备链式PECVD加热速率与膜厚、折射率之间的关系。通过调整PECVD工艺腔室三个温区的加热速率且在其它条件都不变化的前提下观察加热速率对膜厚、折射率两参数的影响,其结果为:加热速率越快折射率越高,膜厚越小。 相似文献
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用 Centrotherm 管式 PECVD 设备,使用新型双层氮化硅膜沉积工艺,并对该工艺进行优化,使电池效率得到提升. 相似文献
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VD—MOS(Vertical Channel Double Diffused MOSFET)是利用大规模集成技术,通过在硅基片上外延、多晶硅生长、离子注入、杂质扩散、化学气相淀积以及金属化等工艺过程制成。 相似文献
