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1.
陈城钊 《韩山师范学院学报》2012,(3):29-33
基于散射矩阵法对SOI衬底的谐振腔结构进行了理论设计．采用超高真空化学气相沉积系统,在SOI基的Ge虚衬底上制备出高质量的Ge和Ge／SiGe多量子阱材料．室温下样品的光致发光谱表明SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光起有效的强度增强作用,实验结果与理论预期符合得很好． 相似文献
2.
绝缘体上的锗硅（SiGe．On．Insulator,SGOI）材料不仅是高迁移率新型沟道材料应变硅的良好衬底,其本身也是一种极具潜力的高迁移率衬底材料．Ge浓缩是获得高Ge组分、高质量SGOI的最优制备方法之一,传统Ge浓缩工艺在实验中得到改进,在高纯N2气氛中,进行了1000oC的后退火以改善所得SGOI中Ge元素的分布．实验制备了三种后退火条件下的Ge浓缩样品以作对比,并在三种样品上分别外延了20nm厚的顶层Si以进一步确定所得SGOI材料性能．实验结果发现。三种样品表面平整度并无太大差别,而使用了改进后退火工艺的样品具有最好的Ge组分均匀性和最低的缺陷密度．同时,改进后退火工艺的样品上外延所得顶层硅具有最大的应变值,而Si／SiGe界面处Ge的组分是顶层硅应变度的决定性因素之一． 相似文献
3.
黄文勇 《韩山师范学院学报》1994,(3)
本文报道了对A—SiNx:H/A—Si:H超晶格材料X射线和光学性质等方面的研究。提出一个非晶超格材料X射线衍射模型,和实验符合得较好,由此得到一个根据衍射峰相对强度获得界面情况的简单方法。观察到量子阱效应使光学带隙移动,发光峰移动,发光强度增大等现象。 相似文献
4.
以Si衬底上外延Ge薄膜为吸收区,研究了Si基Ge光电探测器的材料生长与器件制作工艺,并对材料晶体质量和器件性能进行表征分析。Ge薄膜是采用低温缓冲层技术在超高真空化学气相沉积系统上生长的。1μm厚Ge薄膜的表面仅出现纳米量级的岛,表面粗糙度只有1.5 nm。Ge薄膜的X射线衍射峰形对称,峰值半高宽低于100 arc sec。Ge薄膜中存在0.14%的张应变。Si基Ge光电探测器在-1 V偏压时暗电流密度为13.7 mA/cm2,在波长1.31μm处的响应度高达0.38 A/W,对应外量子效率为36.0%,响应波长扩展到1.6μm以上。 相似文献
5.
实验中使用国产2N级金属Gd粉为原料，用电弧熔炼法在氩气气氛中制备了Gd5Si1.8Ge22合金，并通过X射线衍射仪和超导量子磁强计分析手段对合金的性能进行测试和分析．发现合金没有重现一级磁相变和巨磁热效应，这是由于国产2N级Gd中杂质等因素时磁相变、磁热性能产生了重要影响，导致一级磁相变的破坏及磁热效应的大幅度下降． 相似文献
6.
王锋 《泉州师范学院学报》2003,21(2):28-32
通过X射线衍射和磁电阻测量，对快淬法制备的铸态和退火处理的Co15-xFexCu85(X＝0，3，6，9，12，15)系列样品颗粒合金进行了结构和输走性质的研究．发现了造成Co—Fe—Cu合金输运性质变化的Co、CoFe相分离过程，这结果与Co—Fe—Cu合金相图相一致．在快淬CoFeCu样品中磁电阻效应小于CoCu样品．条带是多晶体，颗粒尺寸为几百纳米． 相似文献
7.
通过脉冲激光沉积,于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3／Pb(Zr0．52Ti0．48)O3／LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆x射线分析了该多层膜结构中各层曲轴向外延关系。 相似文献
8.
目的：消除血红蛋白和胆红素两种因素对碱性苦味酸速率法测定肌酐的负干扰。方法：用苦味酸速率法测定未溶血、人为溶血、人为溶血后加0．88mol／L H2O2 37℃水浴20min、人为溶血后加0．88mol／L H2O2 37℃水浴30min、未溶血加0．88mol／L H2O2 37℃水浴20min五种处理的血液样品中肌酐值。结果：其他四组与第一组差异均有统计学意义（P〈0．01）;第三组与第二组、第五组测定结果有差别（P〈0．01或P〈0．05）,而第三组与第四组的测定结果则无差别（P〉0．05）。结论：用0．88mol／L H2O2处理溶血样品后,再进行肌酐测定。可消除血红蛋白和胆红素对肌酐测定的影响,使测定结果更真实。 相似文献
9.
主要研究H2O2在光／暗调节的花粉萌发中的作用．实验结果显示：（1）紫荆花粉萌发最适硼酸浓度为25μg／mL;（2）暗能抑制紫荆花粉的萌发和花粉管的伸长;（3）在一定浓度（0-200μmol／L）范围内,H2O2能促进暗抑制的花粉萌发;（4）抗坏血酸（Vc）能够逆转H2O2对暗抑制花粉萌发的促进效应;（5）然而在一定浓度（0—200μmol／L）范围内,H2O2不能促进暗抑制的花粉管伸长生长．实验结果表明：H2O2作为胞内重要的信号分子可能促进暗抑制花粉萌发,但对暗抑制的花粉管伸长生长的作用不明显． 相似文献
10.
采用溶剂热和常压合成方法,分别制备MOF-508 (Zn(BDC)(4,4’-Bipy)_(0.5)DMF(H_2O)_(0.5))粉末样品及其在Si、Au/Si、COOH-Au/Si基底上的薄膜,通过X射线广角衍射法检测其在基底表面上的取向生长。发现仅在常压法下COOH-Au/Si基底上MOF-508配位聚合物沿着[001]方向生长,用电子扫描电镜技术发现其在COOH-Au/Si基底上的晶体形状统一,多为长方形,说明常压法和基底对其取向生长起到关键性的因素,这对于以后配合物薄膜取向生长提供了参考数据。 相似文献
11.
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描透射电子显微镜(HR—STEM)测量样品的纳米结构．并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件进行精细结构模拟．并测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL谱。在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构．首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时问和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好． 相似文献
12.
应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦;高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀;紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1%的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能. 相似文献
13.
Huang Jing-yun Ye Zhi-zhen Lu Huan-ming Zhao Bing-hui Wang Lei Que Duan-lin 《浙江大学学报(A卷英文版)》2000,1(4):427-430
An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system with reflection high energy electron diffraction (RHEED) was
introduced. The Si epilayers and SiGe strained-layers on three-inch Si (100) substrates were grown in this UHV/CVD system.
The substrate temperature during growth was from 550°C to 780°C. The properties of epilayers were characterized by high-resolution
cross-sectional transmission electron microscopy (TEM), double crystal X-ray diffraction (DCXRD), and spreading resistance
(SPR). A B-doped SiGe epilayer with uniform resistivity distribution was grown.
Project supported by NSFC and Science Commission Program of Zhejiang Province of China. 相似文献
14.
采用共沉淀法合成了锂离子电池层状LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料。采用TG/SDTA、XRD和SEM对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料的成分、结构和形貌进行了表征。结果表明,在900℃下煅烧15h制得的材料结晶程度最佳,样品具有最大I（003）/I（104）强比值,层状结构特征最为突出。从单个颗粒来看,样品表面光滑,界面清晰,粒子呈类球状,粒径大约在0.5μm左右,分散较为均匀。另外,添加剂对粒子形貌具有一定的影响。 相似文献
15.
利用N2物理吸附、XRD和空气热重对Cu-ZnO/Al2O3甘油加氢催化剂在制备过程中物相结构的变化进行了系统的研究.研究结果表明,干燥后催化剂主要由Cu2Zn4Al2（OH）16CO3 4H2O和Cu2（OH）2CO3物相组成,经过600℃焙烧4 h后,催化剂在沉淀过程中生成的Cu2Zn4Al2（OH）16CO3 4H2O和Cu2（OH）2CO3全部分解为CuO.在500℃催化剂具有最大的比表面积（79 m^2/g）和孔容（0.36 cm^3/g）. 相似文献
16.
17.
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s． 相似文献
18.
采用水热法合成了一维配位聚合物[Cd（pzdc）（H2O）3]n（H2pzdc=吡嗪-2,3-二甲酸）.并对其进行了元素分析、红外光谱表征和X射线单晶衍射测定.该配合物属于正交晶系,空间群P 2（1）2（1）2（1）,晶胞参数a=5.7341（4）,b=10.8279（7）,c=15.3484（10）,V=952.96（11）3,C6H8CdN2O7,Mr=332.54,Dc=2.318g/cm3,μ（MoKα）=2.317mm-1,F（000）=648,Z=4,R1=0.0162,wR2=0.0449. 相似文献