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用电子束蒸镀方法在250℃~450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底(111)晶面上成功生长了Zn0.85Co0.14Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°。 相似文献
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用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si村底(111)晶面上成功生长了Zn0.85 Co0.14 Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°. 相似文献
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以Si衬底上外延Ge薄膜为吸收区,研究了Si基Ge光电探测器的材料生长与器件制作工艺,并对材料晶体质量和器件性能进行表征分析。Ge薄膜是采用低温缓冲层技术在超高真空化学气相沉积系统上生长的。1μm厚Ge薄膜的表面仅出现纳米量级的岛,表面粗糙度只有1.5 nm。Ge薄膜的X射线衍射峰形对称,峰值半高宽低于100 arc sec。Ge薄膜中存在0.14%的张应变。Si基Ge光电探测器在-1 V偏压时暗电流密度为13.7 mA/cm2,在波长1.31μm处的响应度高达0.38 A/W,对应外量子效率为36.0%,响应波长扩展到1.6μm以上。 相似文献
4.
采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积法在衬底Al2O3的(0001)面上沉积ZnO薄膜,所生长的薄膜在未退火和退火时表现出不同的平面内取向.未退火时薄膜表现出较好的单筹异质外延生长,而退火后薄膜的Φ扫描图像中出现了12个峰,这表明退火后薄膜出现反相筹,表现为孪晶生长.重点分析了退火对螺旋波等离子体辅助溅射技术外延ZnO薄膜的结构及表面形貌的影响规律,为外延ZnO薄膜质量的提高及该技术应用的探索奠定基础. 相似文献
5.
通过脉冲激光沉积,于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3／Pb(Zr0．52Ti0．48)O3／LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆x射线分析了该多层膜结构中各层曲轴向外延关系。 相似文献
6.
应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦;高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀;紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1%的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能. 相似文献
7.
简述了X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)的基本原理,计算了硅晶体的消光特性,从理论上研究了Si基薄膜XRD表征的特征.研究结果表明:由于薄膜的择优生长,Si基薄膜XRD谱与粉晶XRD谱存在差异;并可能观测到Si基片的二级衍射峰.研究结果在实际应用中对分析硅基薄膜的晶体结构具有重要意义. 相似文献
8.
采用溶剂热和常压合成方法,分别制备MOF-508 (Zn(BDC)(4,4’-Bipy)_(0.5)DMF(H_2O)_(0.5))粉末样品及其在Si、Au/Si、COOH-Au/Si基底上的薄膜,通过X射线广角衍射法检测其在基底表面上的取向生长。发现仅在常压法下COOH-Au/Si基底上MOF-508配位聚合物沿着[001]方向生长,用电子扫描电镜技术发现其在COOH-Au/Si基底上的晶体形状统一,多为长方形,说明常压法和基底对其取向生长起到关键性的因素,这对于以后配合物薄膜取向生长提供了参考数据。 相似文献
9.
采用反应沉积外延法在723K的Si (111)衬底上共沉积了的Ba/Si混合膜,通过时间控制得到不同厚度的混合膜,然后真空退火处理.X射线衍射表明在真空中1073K退火12小时后出现了单一的Ba5 Si3薄膜.采用第一性原理对Ba5 Si3的能带结构进行了计算,带隙宽度为0 eV,表现为金属性质. 相似文献
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11.
采用Stillinger-Weber势,利用分子动力学方法模拟了Si原子在Si(001)表面和该表面单层台阶附近扩散的动力学过程。(1)给出单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散的扩散路径和扩散机制。Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散能够减弱Si原子在Si(001)表面扩散的各向异性。(2)模拟不仅给出与以往文献中原子从SA台阶下台面扩散到上台面相同的扩散路径而且还给出原子从成键的SB台阶上台面扩散到下台面的一种新的扩散机制:增原子通过与表面原子之间的交换。从而解释实验上观察到的Si(001)表面双层原子台阶形成的机制。无论是单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散还是在Si(001)表面的单层台阶附近扩散,增原子和表面原子之间的交换机制都起着重要的作用。 相似文献
12.
利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s． 相似文献
13.
用光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察Al-Si合金中硅相形貌在固溶过程中的变化, 并研究了此变化对合金力学性能和断裂行为的影响. 结果表明: 固溶初期 (250 min), 硅相发生缩颈、钝化、溶断并伴随长大; 在固溶中期(250～400 min), 其形貌没有发生显著变化, 仅球化程度更高; 600 min后, 硅相的长大是受扩散控制的粗化过程, 且符合LSW粗化模型; 同时由于出现棱角小面及搭接特征使硅相形貌有所恶化. 定量金相测量及回归分析说明硅相的形貌对合金的力学性能和断裂行为有显著影响. 相似文献
14.
郭俊然 《晋城职业技术学院学报》2013,(6):65-66,77
汉代出土资料中有许多汉代王国的工官为文献所遗,具体有司空长、宫司空、中司空等。从这些文献所遗的西汉王国工官可知:汉代王国官制中的司空大量见于出土资料,主要涉及齐国、中山国、长沙国、广陵国、东海国和楚国6个国家。按种类划分包括宫司空、中司空和营司空,按级别划分包括司空长、司空丞。其它王国工官亦是种类较少,数量不多,地位不高。 相似文献
15.
UHV／CVD生长SiGe／Si材料分析及应用研究 总被引：1，自引：1，他引：0
以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV／CVD系统在Si（100）衬底上生长了Sil—xGex合金和Sil—xGex／Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加,比例因子为2．57。生长的Si0．88Ge0．12合金样品的界面清晰,表面平整,平均粗糙度仅为0．4nm,位错密度低于104／cm2。六周期Si0．88Ge0．12／Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe／Si多量子阱均具有很好的晶体质量。 相似文献
16.
熊燕军 《韩山师范学院学报》2011,32(2):29-35
高宗建炎四年五月,为抵御金人南侵,南宋在宋金边境设立了众多的藩镇——镇抚司.镇抚司的割据性很强,但镇抚司的设置并未导致南宋最终出现类似唐代藩镇尾大不掉的局面.绍兴五年四月,诸镇抚司尽罢.通过设置镇抚司,南宋王朝最终稳定了统治,其废罢同时,也是绍兴十一年收夺大将兵权前的一次成功预演. 相似文献
17.
The effect of rare earth (RE) elements on the morphologies and sizes of Si phases in the hypereutectic Al-Si alloys modified with P was investigated.The results show that the addition of La element to the hypereutectic Al-Si alloys can enhance the effect of P element on the modification of the primary Si phases.In the multiplex modification of RE-P,the primary Si phase is refiner and the shape of the eutectic Si is changed from long needle-like to short rod-like.Moreover,the agglomeration rate of the primary Si phase is slowed greatly.Even the melt is held for 6 h,the average size of the primary Si phase is still satisfied.The results analyzed by scanning electron microscope (SEM) indicate that La is richer at A1-Si interface than that inα-Al or primary Si phase.The higher the La content in the Al-Si interface,the smaller the primary Si phase. 相似文献
18.
语丝派是一个复杂的文人群体组合,以鲁迅与周作人为执牛耳,二人在现代文学中的影响力不言而喻,自然他们的文学思想观对《语丝》的兴衰也发挥着重大影响。两人各代表两种文学思想观,在《语丝》的发展历程中,这两种文学思想观不断地联盟、分裂,在分与合中成就了《语丝》的辉煌,也酿成了《语丝》的衰落。 相似文献
19.
李丽 《新乡师范高等专科学校学报》2010,24(6)
司马迁为李陵辩护而遭腐刑,李陵之祸对司马迁人生命运产生了重大影响。李陵之祸的文化意蕴体现了司马迁对李氏家族命运的人文关怀,揭示了圣贤通道的艰难历程,表现了司马迁忠守自我、刚正不阿的人格风范。 相似文献
20.
试论“大匠宫司空” 总被引：1，自引：0，他引：1
梁勇 《徐州师范大学学报(哲学社会科学版)》2010,36(1)
"大匠宫司空"与"宫司空"历史文献没有记载.战国秦汉时期,"官"、"宫"二字形近难分,写法时有变通.张家山汉简<二年律令·秩律>中"大匠官司空"应为"大匠宫司空",是"将作大匠"的属官."司空"本是专有名词,"司空"类的官名很多,"宫司空"是负责宫室与官署营建的机构与职官,是"大匠宫司空"的省称.明确为"宫司空"的出土文字有六处."宫司空"从中央到地方都有设置,其副职为"官司空丞","楚宫司丞"为"楚宫司空丞"的省文."楚宫司空丞"之"楚"修饰"宫司空丞","宫司空"修饰"丞"."宫司空"的存续时间,有五处是明确的.西安北郊相家巷遗址出土的"宫司空印"、"官司空丞"封泥是秦代的."东海官司空"盘的时间是东汉建武中元二年,即公元57年,出现最晚,可以看出,秦汉时期"宫司空"职官大体是存在的.西汉时期,特别是西汉早期"司空"类官职地位不高,俸禄差异很大,从八百石到百六十石都有,"大匠宫司空"秩六百石只是一个参照系数. 相似文献