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现行普通高中课程标准实验教科书物理选修3—1第47页的一幅晶体二极管的伏安特性曲线是锗二极管的特性曲线（见本文图1）．实际上,锗二极管正因为反向耐压低漏电流大而退出历史舞台,完全被反向耐压高漏电流小的硅二极管所替代．所以,把早已不用的锗二极管的参数用在课本上是不合适的,可能会误导学生． 相似文献
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朱津裘 《中山大学学报论丛》1992,(2)
设计与制造了重力式和水平式的热二极管元件,并对所制得的元件进行了正反向工作时,冷凝端温度随时间变化的T-t曲线、冷凝端热流密度随时间变化的q-t曲线及各元件升温速率的测试。结果表明,重力式或水平式的热二极管都能实现其单向高速传热的待性,并且热二极管的性能与该管的结构参数、工质种类、工质数量以及管内真空度等有着强烈的依赖关系。 相似文献
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Multisim和Excel在二极管特性实验教学改革中的应用 总被引：1，自引：1，他引：0
在二极管的特性教学中引入了Multisim和Excel软件,通过对<中国期刊网>的检索,没有发现相同的研究方法和成果出现.应用Multisim对二极管的特性进行测试仿真.用Excel对测试结果进行伏安特性和电阻特性曲线拟合、显示,相比传统的实物电路测试更方便和快捷,相比传统的手绘特性曲线更精确和直观,在教学实践中,引导学生对仿真数据和特性拟合曲线进行分析,对二极管特性有更清晰和全面的认识. 相似文献
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在利用伏安法测量电阻、小灯泡和二极管伏安特性曲线实验中探究电流内接或外接的同时,我们也考虑并探究怎样既简便又准确地测量出二极管的伏安特性曲线。实验中既要对被测电学元件电阻的大小做出估计,还要对电流表和电压表的自身内阻进行测量,这样才能有利于对测得的结果进行修正,正是这个原因使得实验不但繁琐复杂而且不够精确。 相似文献
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余孟尝 《中国远程教育(综合版)》1985,(8)
半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。 相似文献
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白俊平 《邢台职业技术学院学报》2003,20(1):75-75
数学既是一个独立的学科,又是工程计算中解决实际问题必不可少的工具。下面浅谈微积分在《模拟电子》中的一些具体应用。首先介绍利用微分求二极管的动态电阻rd。 动态电阻rd,指的是二极管伏安特性曲线上工作点Q附近,二极管上的电压的变化量ΔVd与电流变化量ΔId之比,即rd=ΔVd/ΔId。当ΔId很小时rd=dddIdv…(1) 二极管特性曲线满足的方程是: Id=Is(eTdVV -1),对应的数学模型为Y=a(ebx-1)…(2).其中设a=Is b=vT Y=Id X=vd,由(2)变换得ay=ebX-1, 因为ebX》1所以Ya ebX,两边取对数整理得X=blnaY,然后两边求导 x'=bYaa1=Yb。… 相似文献
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分析了三种伏安法测二极管特性曲线电路的基本原理及对实验仪器的要求,并指出了实验中应注意的问题及改进方法。 相似文献
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沈雅芬 《现代远程教育研究》1998,(11)
1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN 型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_((BR))的物理意义,半导体三极管(NPN 硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS 管主要参数 U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容 相似文献
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1 半导体二极管、三极管和MOS管1.1 掌握的内容 半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容 半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数I_F,I_R,U_(BR)的物理意义,半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,α,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS管主要参数U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容 相似文献
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唐迎满 《中国教育发展研究杂志》2009,6(11):58-59
范德蒙行列式的计算问题在多项式插值问题中起到了举足轻重的作用。本文主要讨论了范德蒙矩阵在多项式插值中的应用,并使用三角分析法求解了晶体二极管的导电性能插值曲线。 相似文献
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为克服模拟式晶体管图示仪读数误差大、数据无法保存、无法直接读取晶体管特性参数的缺点, 设计了一款多功能数字式晶体管图示仪.以STM32F103芯片为嵌入式处理器, 通过外围电路测量得到晶体管的各电流值和电压值并存储至存储器.处理器对所测数据运算处理,绘制二极管、三极管、场效应管的特性曲线, 并得出二极管、三极管的开启电... 相似文献
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用伏安法测量二极管的伏安特性曲线时，无论采用外接法，还是内接法，都必须加以修正，才能得出正确的结果．本文给出了修正公式，分析了要修正的原因． 相似文献
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向国庆 《中学物理教学参考》2009,(1):28-30
在同一坐标系中作出电阻、二极管等元件的伏安特性曲线,根据该曲线巧妙确定元件在电路中的工作点,进而由工作点的坐标即可知元件在实际工作状态下的电流、电压．所以,指导学生运用该图象分析讨论某些物理问题不仅简便易行,而且可以深刻理解物理概念和物理规律． 相似文献
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在伏安法测二极管的伏安特性曲线实验中,根据教材特点和学生实际进行适当的拓展,测试了单晶硅太阳能电池在黑暗和恒定光照下的正向伏安特性,分析了太阳能电池的性能参数,对培养学生的创新思维能力有一定帮助. 相似文献
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理想二极管具有单向导电性,理想二极管可以当成一个电阻,当在理想二极管上加上正向电压时,理想二极管的阻值为零,理想二极管相当于一根理想导线,理想二极管所在的位置相当于短路;当在理想二极管上加上反向电压时,理想二极管的阻值为无穷大,理想二极管所在的位置相当于断路. 相似文献