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利用傅立叶红外吸收光谱（FTIR）和正电子湮没技术（PAS）对快中子辐照直拉硅中的双空位（V2）的退火行为进行了研究。实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V30与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃。 相似文献
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用正电子湮没寿命谱方法结合硬度测试手段,对等离子体喷涂铁合金涂层退火处理后的微观结构及缺陷进行了研究,讨论了不同退火温度下缺陷的回复行为,提出退火回复的主要机制。 相似文献
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用正电子湮没谱研究了用浸渍法制备的Al2O3担载NiO催化剂在不同烘烤温度、不同烘烤时间下NiO的分散情况。结果显示:在300℃左右烘烤2小时,NiO的分散情况最理想。 相似文献
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稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性,这使其成为了一个研究的热点。但是,针对它们的室温铁磁性的起源仍然存在较大的争议。文章通过介绍正电子湮没技术及其在表征材料缺陷中的独特应用,讨论了正电子湮没技术在研究氧化物稀磁性半导体室温铁磁性起源中的独特优势。 相似文献
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龙芸 《湖北第二师范学院学报》2008,25(8):23-25
正电子是电子的反粒子,它的质量、电荷量都和电子的相等,但它带正电荷,是人类最早认识的反物质。正电子的产生和湮没使人们对基本粒子的认识发生了重大的变化。本文着重介绍了正电子的理论预言过程和实验发现过程及深远意义,并说明了正电子的物理性质及其技术应用。 相似文献
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为了深入研究高次谐波产生的多光子过程,使用劈裂算符结合拟谱的方法对氢原子在双色强激光场中的高次谐波辐射作了数值模拟计算,结果显示,当附加一适当双色激光场时,高次谐波谱的平台区大幅提高和展宽。根据计算结果提出的混合跃迁道理论,成功解释了高次谐波谱所呈现的细节特征。 相似文献