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1.
童和平 《广东广播电视大学学报》2014,(1)
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验,结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较高的材料去除率;加工间隙在1.5mm左右具有较好的加工效果,随着加工时间的延长表面粗糙度越来越小,且30min内表面粗糙度变化率达到89%以上。通过优化工艺参数对单晶SiC进行集群磁流变平面抛光,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从42.1nm下降到4.2nm,表明集群磁流变效应平面抛光用于加工单晶SiC基片可行且效果显著。 相似文献
2.
针对当前传统游离磨料抛光蓝宝石衬底存在的磨粒轨迹不可控、抛光液污染环境等问题,文章基于半固结柔性抛光工具探究了磨料反应活性及不同绿色络合剂对抛光蓝宝石衬底性能的影响。通过水解沉淀法制备了高活性纳米二氧化硅磨料,分别以木糖醇、甘露醇和三异丙醇胺作为络合剂配制绿色环保型抛光液,基于半固结柔性抛光工具进行加工试验。结果表明,高活性二氧化硅磨料的材料去除率达到1 nm/min,较商用二氧化硅提升了81.8%,表面粗糙度降低了10.5%。同时,相较于甘露醇、三异丙醇胺,当抛光液组分中的络合剂为木糖醇时,蓝宝石衬底表面粗糙度分别降低了33.7%和24%,PV值小于18 nm,材料去除率分别提升了24%和5.1%。高活性二氧化硅磨料和木糖醇络合剂可提高蓝宝石衬底加工过程中的界面反应速率,从而提升了表面质量和加工效率,实现了蓝宝石衬底超光滑、高效率、无污染抛光。 相似文献
3.
童和平 《广东广播电视大学学报》2014,(1):109-112
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及试验装置对单晶碳化硅基片进行了平面抛光试验,结果表明,金刚石磨料对单晶Sic基片具有较高的材料去除率;加工间隙在1．5I砌左右具有较好的加工效果,随着加工时间的延长表面粗糙度越来越小,且30min内表面粗糙度变化率达到89％以上。通过优化工艺参数对单晶SiC进行集群磁流变平面抛光,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从42．1m下降到4．2nm,表明集群磁流变效应平面抛光用于加工单晶SiC基片可行且效果显著。 相似文献
4.
电子背散射衍射技术是微区取向分析的强有利工具,它对试样表面状态要求严格。我们以低碳钢板为试验材料,通过电解抛光的方法对表面粗糙和变形层进行剥蚀,改变电解抛光的电压和时间,观察形貌和测定粗糙度,研究电解抛光工艺对样品表面形貌的影响。最终确定最佳的制备工艺为:电压12V,抛光时间40 S,达到表面平整,粗糙度小。 相似文献
5.
《实验室研究与探索》2020,(4):46-49
针对不同增强相含量的钛基复合材料,利用离子抛光方法对比了不同增强相含量的抛光形貌、抛光成形参数和抛光表面粗糙度的影响。发现增强相含量越多,离子抛光成形参数越大。为了量化成形参数的变化规律,以增强相含量和抛光时间为自变量。回归分析,预测了抛光成形参数的表达式。此外,利用粗糙度的测量结果作为评价离子抛光的表面成形质量。研究表明,增强相含量影响了离子轰击材料表面的物理溅射和原子流动;增强相含量越多,表面粗糙度越大。 相似文献
6.
《实验室研究与探索》2020,(2)
为了实现光学元件表面超光滑加工,避免传统机械加工方法造成的亚表面损伤,将射频等离子体加工应用于石英玻璃抛光加工。分析了通过调节离子束的能量、束流密度和入射角等工艺参数对抛光效果的影响。试验结果表明,随离子束能量的增加,试件的表面粗糙度RMS先减小后增大,当离子束能量为200～600 eV时试件表面粗糙度明显提高,为离子束抛光能量最佳范围。离子束流入射最佳角度范围为45°～60°,随着离子束抛光时间的增加,试样表面粗糙度先降低后增大。 相似文献
7.
正模具表面精加工是模具加工中未能很好解决的难题之一,也正是模具钳工劳动强度大、成为模具加工瓶颈的原因之一。传统精加工技术主要是以手工研磨抛光为主和现在发展起来的机械精加工。非传统精加工主要包括化学抛光、电化学抛光、电解研磨、电化学机械光整加工、超声波加工、磁流变抛光、激光抛光技术以及电火花抛光等。 相似文献
8.
《实验室研究与探索》2019,(11):42-45
以钛基复合材料为研究对象,选择影响离子抛光质量的主要工艺参数、加速电压和试样凸出量,进行相关离子抛光实验。结果表明,随着加速电压的增大,抛光表面与材料原始表面之间形成了不同程度的抛光台阶。通过抛光形貌和粗糙度的综合对比分析,得到了加速电压的优化工艺参数范围。选择最佳加速电压参数条件,研究了不同试样凸出量对表面抛光形态和粗糙度的影响,当试样凸出量过大时,抛光台阶增大,且粗糙度明显增大。因此,在控制精度允许范围内,应尽量减小试样凸出量以获得高质量的抛光表面。 相似文献
9.
本文分析了表面粗糙度对机械零件使用性能的影响,阐述了零件表面粗糙度的设计选择方法,探讨了表面粗糙度参数值与公差等级的对应关系和轮廓的算术平均偏差Ra的快速标注,供设计时参考. 相似文献
10.
亚纳米级抛光是获得超光滑表面的主要方法。目前,常用的亚纳米级抛光方法有化学机械抛光(CMP)、电化学机械抛光(ECMP)、无磨料化学机械抛光(AP-CMP)、磁流变抛光(MRP)等。亚纳米级抛光质量受抛光液、抛光条件和抛光环境等诸多方面的影响。抛光实验室的抛光环境是超光滑表面的重要影响因素之一,必须对抛光环境的各个方面加以科学管理和维护。 相似文献