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本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了 Eu、N 单掺杂和共掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质.结果表明,Eu 单掺杂 TiO2体系,可以减少光生电子-空穴对的复合速率;N 单掺杂 TiO2增强了其对可见光的响应;而 Eu/N 共掺杂引起晶格畸变,导致禁带宽度变窄,光吸收带边红移到可见光区,提高 TiO2的光催化效率以促进其更好的利用太阳能. 相似文献
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铁电存储器是铁电材料的最重要的应用,而铁电存储器一个非常重要的指标就是其运行速度,影响其运行速度的主要是铁电材料内铁电畴的极化反转速度。HfO_2铁电材料作为未来铁电存储器的理想材料,了解其畴反转过程非常重要。掺杂是使HfO_2薄膜产生铁电性的一个非常重要的方法,掺杂浓度对HfO_2铁电薄膜的铁电性能影响非常大,因此了解掺杂浓度对HfO_2铁电薄膜的畴反转过程(即极化反转速度)的影响对我们更好利用HfO_2铁电薄膜为基础的铁电存储器非常重要。在本文中,我们利用PLD制备了Y掺杂HfO_2铁电薄膜(HYO),发现了Y掺杂浓度对HYO铁电薄膜的铁电性能的影响,我们在经过测试后也发现掺杂浓度可以影响HYO铁电薄膜畴反转过程,发现了随着掺杂浓度的增加HYO铁电薄膜中铁电畴的极化反转速度增加。 相似文献
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翟艳荣 《科技成果管理与研究》2013,(9):17-18
王晓亮,1963年生,博士生导师,中科院半导体研究所研究员,西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授,中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长,中国电子学会理事,砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室、电子物理与器件教育部重点实验室学术委员会委员,全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会委员。 相似文献
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氧化锌是一种新型的、性质优良的半导体材料,在光、电、磁等方面都有着非常重要的作用,而对氧化锌进行掺杂其他元素的研究越来越受人关注。本文对不同的掺杂物所进行的研究进展进行了阐述。 相似文献
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利用溶胶-凝胶法制备出不同Mn掺杂浓度、不同退火温度的Mn掺杂TiO2粉末样品。研究了Mn掺杂浓度和退火温度对Mn掺杂TiO2粉末样品光催化性质的影响。发现Ti0.998Mn0.002O2样品光催化活性顺序为:500℃>400℃>600℃>700℃。并且随着掺杂浓度增加,对罗丹明光催化活性下降。掺杂浓度为0.2%的样品光催化活性最好。 相似文献
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利用溶胶－凝胶法制备出不同Mn掺杂浓度、不同退火温度的Mn掺杂TiO2粉末样品。研究了Mn掺杂浓度和退火温度对Mn掺杂TiO2粉末样品光催化性质的影响。发现Ti0.998Mn0.002样品光催化活性顺序为：500℃〉400℃〉600℃〉700℃。并且随着掺杂浓度增加,对罗丹明光催化活性下降。掺杂浓度为0．2％的样品光催化活性最好。 相似文献
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首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性。研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰。该峰具有与局域发光完全不同的光学性质。通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光。这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据。在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移，然后蓝移，再红移的所谓的“S”形变化。它的来源一直令人们疑惑不解。我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果。这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据。通过光荧光谱, 时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质。首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中，在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的，其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰。实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态。这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态。这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金，而不是仅仅以N的杂质态存在。这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用，GaNxAs1-x光跃迁的来源，以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据。最后我们利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接（Type-I）跃迁和间接跃迁(Type-II)。时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性。 相似文献
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闪锌矿型CdTe电子结构和光学性质的第一性原理 总被引：4，自引：0，他引：4
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型CdTe的能带结构、态密度和光学性质.计算表明,闪锌矿型CdTe为直接带隙半导体,禁带宽度为0.671eV.计算并分析了闪锌矿型CdTe的复折射率、复介电函数、吸收系数、光电导率、损失函数和反射率,其折射率为2.69,静态介电常数为7.23.计算结果与其他文献结果吻合较好,为闪锌矿型CdTe的应用提供了理论依据. 相似文献
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螺旋理论对无光学活性分子的剖析 总被引：1，自引：0，他引：1
从螺旋理论观点看［１，２］，大多数无光学活性的有机化合物都是内、外消旋体，或者是内、外消旋体的混合物，都属于构象内或构象间螺旋旋光度代数和为零的一类化合物．少数无光学活性的平面和直线型分子，可以认为前者包含的螺旋，其螺距为零；后者包含的螺旋，其螺距等于螺旋线的长度（即螺旋的半径为零）．根据螺旋模型的计算，这两种特殊螺旋，其族光度应为零［３］．可见，螺旋理论也适用于无光学活性的化合物． 相似文献
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Chen Rei-min 《中国科学院研究生院学报》1995,(1)
ＮＯＮＬＩＮＥＡＲＯＰＴＩＣＳＩＮＱＵＡＮＴＵＭＷＩＲＥＳ￥ＣｈｅｎＲｅｉ－ｍｉｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＡｓｔｒｏｎｏｍｙ，ＳｔａｔｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＮｅｗＹｏｒｋａｔＢｕｆｆａｌｏＢｕｆｆａｌｏ，ＮｅｗＹｏｒｋ１４２... 相似文献
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光学活性肌醇及其甲基衍生物的旋光度计算 总被引：1，自引：0，他引：1
根据作者提出的螺旋理论规律~[1]，可以计算光学活性肌醇的族光方向和旋光度大小，肌醇分子内存在的36个二面角螺旋族光度的代数和再乘以常数2．0就是该肌醇的摩尔族光度。 相似文献
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红光器件是通信领域各种光纤跳线、尾纤以及光纤线路维护等的重要捡测工具。而目前,红光光源的制备材料均为三五族材料的化合物半导体,如掺磷砷化镓等。为了降低成本研究制备出硅基红光光源是非常好的选择。本文中介绍了应用常规的等离子体增强化学气相淀积技术制备基于碳化硅的Fabry—Pemt结构全固态一维平面微腔。在488nm的激光激发下得到线宽为11nm,品质因子为59,峰位在646nm的发光谱线。与有源层的发光相比强度增强了2倍。为实现硅基光源在通信领域的应用奠定了基础。 相似文献
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半导体激光治疗慢性牙髓炎和慢性根尖周炎 总被引：4，自引：0，他引：4
为探讨利用半导体激光治疗慢性牙髓炎和慢性根尖周炎的新办法,使用半导体激光光源及单模光纤将激光引入根管,对１２８只牙根管进行照射,并与常规根管治疗术进行对照比较,结果表明,激光治疗慢性牙髓炎和慢性根尖周炎组治愈率分别为９６．１５％和９４．７４％,疗效优于对照组,经统计学检查有显著性差异。 相似文献
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信息社会的飞速发展对信息存储、加工、传输能力提出了与日俱增的迫切需求。随着“摩尔定律”逐渐逼近极限,半导体工业急需寻求新的解决方案。二维材料因为原子级厚度的尺寸特点,表面无悬挂键的结构优势加上极大比表面积导致的对电、光等调控手段的敏感性被认为是“后摩尔定律”时代半导体工业新的突破口。松山湖材料实验室引进一批国内外顶级科学家,组建二维材料团队,以基础科研为根基,以工程应用为导向,重点攻关其中关键问题。其目标在于取得有世界级重大影响力的科研成果,布局我国二维材料产业。 相似文献