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1.
本文系统地讨论了脉冲激光烧蚀固体材料时,随激光能量密度的增加,从正常蒸发转变到相爆炸的全过程。首先提出正常蒸发情况下的烧蚀模型,利用此模型,基于Ni靶材,得到激光的透射率随时间的演化规律,以及烧蚀厚度随激光能量密度的变化规律,将所得结果比实验值进行了详细地比较分析,发现我们的结果与实验值达到令人满意的吻合。其次,还讨论了脉冲激光烧蚀靶材时,随激光能量密度变化,烧蚀过程中将出现的亚表面加热,正常沸腾及相爆炸现象。 相似文献
2.
刘丹 《湖北第二师范学院学报》2008,25(8):20-22
本文系统地讨论了脉冲激光烧蚀固体材料时,随激光能量密度的增加,从正常蒸发转变到相爆炸的全过程。首先提出正常蒸发情况下的烧蚀模型,利用此模型,基于Ni靶材,得到激光的透射率随时间的演化规律,以及烧蚀厚度随激光能量密度的变化规律,将所得结果比实验值进行了详细地比较分析,发现我们的结果与实验值达到令人满意的吻合。其次,还讨论了脉冲激光烧蚀靶材时,随激光能量密度变化,烧蚀过程中将出现的亚表面加热,正常沸腾及相爆炸现象。 相似文献
3.
研究在液体环境下脉冲激光打孔中孔洞质量与水层厚度的关系.实验结果表明:液体环境下脉冲激光打孔速率存在一个最佳水层,且该水层下孔洞内部较为光滑,喷溅出的纳米颗粒较为均匀;无论何水层下的孔洞形状均为锥体状,是激光打孔机要解决的主要难题. 相似文献
4.
建立一维半导体Ge的激光烧蚀模型,对波长为248nm,脉宽为17ns,峰值功率密度为4×108w/cm2的KrF脉冲激光在1000torr(1torr=133.32pa)氦气环境下烧蚀晶体Ge及产生等离子体的过程进行了数值模拟,并对计算结果进行分析比较.结果表明在惰性气体环境下,气压在1torr和1000torr之间变化对等离子体屏蔽现象的出现几乎不产生影响;背景气压的增大抑制了粒子的扩散,使等离子体的膨胀速度减小,限制了其膨胀的空间. 相似文献
5.
《实验室研究与探索》2017,(2):26-29
研究了激光等离子体推进中掺碳甘油在纳秒脉冲激光烧蚀后的烧蚀溅射特征。以石墨块材容器盛放不同质量分数的掺碳甘油工质,在波长1 064 nm,脉冲10 ns的YAG激光器不同能量的烧蚀下,分别进行靶动量、掺碳甘油散射斑和质量损失的采集。结果发现,随着激光能量的增强,溅射的甘油总量增加,液滴变小;随碳含量的增加,甘油溅射量明显降低,在碳含量达到5%时,观察不到甘油的溅射。该结果表明,碳掺杂能有效降低溅射量,但动量耦合系数与推进比冲随溅射量的减少也相应的降低,这是由于靶动量的产生主要来自于伴随等离子体产生而发生的液体溅射,同时掺碳甘油中聚焦点的转移也起到了部分作用。 相似文献
6.
本文研究在大气中用 Nd:YAG 激光烧蚀固体 Si 表面的等离子体。用光学多道分析仪测量了等离子体的时间分辨发射光谱,用 N(Ⅱ)的两条谱线的相对强度计算了激光等离子体的电子温度,根据 N(Ⅱ)3995谱线的 Stark 展宽计算了等离子体的电子密度。 相似文献
7.
利用波长532 nm、脉宽10 ns的短脉冲激光在不同激光能量下对甲醛树脂进行了烧蚀推进研究.通过测量激光烧蚀后的靶动量及质量损失,获得激光与甲醛树脂相互作用的动量耦合系数和比冲. 相似文献
8.
用时间和空间分辨诊断技术研究了脉冲激光烧蚀不同气压环境下金属 Al 靶过程中产生的离子体羽的特性,对得到的发射谱进行了较详细的分析,讨论了等离子体点燃的机制,计算了不同气压下出射粒子的飞行速度,在此基础上,建立了等离子体羽膨胀的动力学模型。 相似文献
9.
实际测量出来的LIBS光谱谱线与标准情况下的LIBS光谱谱线之间存在差值,所以作者提出针对激光诱导击穿光谱测量误差的外界因素研究,期望达到提高元素测量精确度的目的。为了能够找寻到实际有效的实验成果,在相同实验条件下,以烧蚀效应与光谱波长为对象进行测试研究,同时用激光诱导击穿光谱高温Mg等离子体,在1.00~3.00us的范围内收集延时下出现的斯塔克展宽数据。研究所得数据,从中找出烧蚀效应与斯塔克延迟时展宽等物理因素对采集光谱可能的具体影响。研究结果与研究方法完全与其他的激光诱导基础光谱实验等一致,适用于其他试验系统误差性分析,无疑有助于提高LIBS技术的物质元素测量精准度,对于研究LIBS技术的最佳采样延时时间具有同等重要意义。 相似文献
10.
王玉清 《实验室研究与探索》2009,28(4)
对二极管电流方程中m值的测定进行了实验研究.结果表明,m值随正向电压变化而变化.对于锗二极管,m存在一个最小值;对于硅二极管,m值随正向电压的增大而减小. 相似文献
11.
12.
飞秒脉冲激光烧蚀靶材的研究发现,激光和靶材的相互作用不遵守傅立叶定律,热烧蚀模型不再适用。本文首先分析了研究超短脉冲激光烧蚀过程中电子和离子亚系统之间相互作用程度的双温模型,由此出发,结合飞秒脉冲激光的特点,探讨了非平衡烧蚀机理,并根据相应实验数据说明了飞秒激光烧蚀靶材的机制是非平衡态下的烧蚀。 相似文献
13.
UHV／CVD生长SiGe／Si材料分析及应用研究 总被引：1，自引：1，他引：0
以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV／CVD系统在Si（100）衬底上生长了Sil—xGex合金和Sil—xGex／Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加,比例因子为2．57。生长的Si0．88Ge0．12合金样品的界面清晰,表面平整,平均粗糙度仅为0．4nm,位错密度低于104／cm2。六周期Si0．88Ge0．12／Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe／Si多量子阱均具有很好的晶体质量。 相似文献
14.
朱逸韬黄卫东 《福建工程学院学报》2020,(6):570-575
设计了以激光功率、扫描速度、扫描间距、铺粉厚度为因素的正交实验,研究了SLM 成型18Ni-300 模具钢粉末过程中各个工艺参数对成型件致密度的影响规律,并进行了工艺参数优化。实验表明,在选定范围内,成型件致密度随激光功率的增加先增大后减小?随扫描速度的增加持续减小?随扫描间距的增加先增加后减小?随铺粉厚度的增加持续减小。最优工艺参数组为激光功率260 W、扫描速度500 mm/ s、扫描间距0.11 mm、铺粉厚度0.02 mm 时,成型件致密度99.99%,为所有实验中的最优值。 相似文献
15.
A series of ablation experiments on silicon surface by femtosecond laser system of 775 nm and 150 fs duration pulses were carried out.The morphological characteristics and the associated effect in the ablation were tested by atomic force microscope (AFM),scanning electron microscope (SEM),focused ion beam (FIB),and the optic microscope.The single pulse threshold can be obtained directly.For the multiple pulses,the ablation threshold varies with the number of pulses applied to the surface due to the incubation effect.By analyzing the experimental data,the thresholds of laser fluences under various laser pulse numbers were obtained,and the relationships between ablation area and laser energy and laser pulse number were concluded.Meanwhile,the periodic ripple structure on silicon surface was found.Under the condition of certain laser power,the number of laser pulse can influence the formation of ripples. 相似文献
16.
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描透射电子显微镜(HR—STEM)测量样品的纳米结构．并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件进行精细结构模拟．并测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL谱。在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构．首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时问和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好． 相似文献
17.
绝缘体上的锗硅（SiGe．On．Insulator,SGOI）材料不仅是高迁移率新型沟道材料应变硅的良好衬底,其本身也是一种极具潜力的高迁移率衬底材料．Ge浓缩是获得高Ge组分、高质量SGOI的最优制备方法之一,传统Ge浓缩工艺在实验中得到改进,在高纯N2气氛中,进行了1000oC的后退火以改善所得SGOI中Ge元素的分布．实验制备了三种后退火条件下的Ge浓缩样品以作对比,并在三种样品上分别外延了20nm厚的顶层Si以进一步确定所得SGOI材料性能．实验结果发现。三种样品表面平整度并无太大差别,而使用了改进后退火工艺的样品具有最好的Ge组分均匀性和最低的缺陷密度．同时,改进后退火工艺的样品上外延所得顶层硅具有最大的应变值,而Si／SiGe界面处Ge的组分是顶层硅应变度的决定性因素之一． 相似文献
18.
Lu Y Du SY Chen XL Wu Q Song X Xu B Zhai YS 《Journal of Zhejiang University. Science. B》2011,12(2):143-148
Both geniposide (Ge) and natural borneol (NB) are bioactive substances derived from traditional Chinese herbs. The effect
of NB on the pharmacokinetics of Ge in rat via intranasal administration was investigated. The concentrations of Ge in plasma
were determined by reversed-phase high-performance liquid chromatography (HPLC) after intranasal administration of Ge (4 mg/kg)
alone and combined with different doses (0.08, 0.8, and 8 mg/kg) of NB. The intravenous administration was given as a reference
(4 mg/kg of Ge and 8 mg/kg of NB). Compared with the intravenous administration, the absolute bioavailability of Ge was 76.14%
through intranasal administration combined with NB. Compared with the intranasal administration of Ge alone, Ge could be absorbed
rapidly in the nasal cavity combined with NB; the peak time of Ge in the plasma became shorter (3–5 min vs. 40 min); the peak
concentration became higher (1.32–4.25 μg/ml vs. 0.67 μg/ml); and, the relative bioavailability of Ge combined with NB was
90.3%–237.8%. The enhancing effect was attenuated as the dose of NB decreased. The results indicated that NB can accelerate
the absorption of Ge dose-dependently in the nasal cavity. 相似文献