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沈雅芬 《现代远程教育研究》1998,(11)
1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN 型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_((BR))的物理意义,半导体三极管(NPN 硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS 管主要参数 U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容 相似文献
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沈雅芬 《现代远程教育研究》1998,(8)
1 半导体二极管、三极管和 MOS 管半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关工作状态下的特点。在数字电路中,半导体二极管、三极管和 MOS 管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”。因此,这些半导体器件在多数情况下。工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。现将半导体(硅)管、NPN 型三极管(硅)和 NMOS 管的开关条件及特点汇总于表1中。 相似文献
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1 半导体二极管、三极管和MOS管 半导体二极管、三极管和MOS管的开关条件及开关工作状态下的特点。 在数字电路中,半导体二极管、三极管和MOS管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”,因此,这些半导体器件在多数情况下.工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。 现将半导体(硅)管、NPN型三极管(硅)和NMOS管的开关条件及特点汇总于表1中。 表1 半导体器件的开关条件及特点 相似文献
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“数字电子电路”是中央电大1999级工业自动化、电子仪器与测量、应用电子技术、通信工程等专业的一门必修课。为了便于同学们做好期末复习,现按教材章节顺序将教学要求予以小结,并给出一些练习题供同学们复习时参考。 1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 掌握的内容 (1)半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。 (2)半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点。 相似文献
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沈雅芬 《现代远程教育研究》1995,(11)
现将电子技术基础—数字电子电路课程的复习要求按教材章节顺序汇总如下,另外,给大家出了一些复习练习题,供大家期末复习参考。一、各章复习要求第一章半导体二极管、三极管和 MOS管1.掌握二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及开关工作状态下的特点。2.掌握双极型三极管(主要是 NPN 硅 相似文献
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1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 重点内容小结 (1)半导体二极管的开关条件及特点 表1列出了半导体二极管的开关条件及特点 相似文献
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(一)填空题:1. 硅二极管的导通条件是___,导通后的特点是——;NPN硅三极管饱和条件是————,饱和状态的三极管的U_(CE)=—— 。2.三变星的逻辑函数,其最小项的个数共有 相似文献
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本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。 1 复习要求 1.1 半导体二极管、三极管和MOS管 (1) 掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。 (2) 掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特 相似文献
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沈雅芬 《现代远程教育研究》1997,(11)
本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。1 复习要求1.1 半导体二极管、三极管和MOS管(1)掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。(2)掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特点。 相似文献
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三极管作为放大电路的核心元件广泛地应用于模拟电子线路中,为此从使用的角度出发必须掌握它的外部特性。 (一)共射输出特性曲线及主要参数 三极管的共射输出特性曲线如图1所示,由图可见,三极管的主要参数I_(CEO)、P_(CM)、BV_(CEO) 相似文献
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余孟尝 《中国远程教育(综合版)》1982,(6)
第一章.门电路一、会分析计算对于比较简单的门电路要会分析计算,为此应该注意下面三点。1.熟悉半导体(硅)二极管和三极管的开关特性。(1)二极管:(?)导通条件:V_D>0.7V。导通时的特点:V_D≈0.7V,如同闭合的开关。截止条件:V_D<0.5V。截止时的特点:I_D≈0,如同断开的开关。(2)三极管(?)饱和导通条件:I_B>I_(BS)=I_(CS)/β。饱和导通时的特点,V_(?)≈0.7V,V_(?)=V_(?)≤0.3V,如同闭合的开关 相似文献
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现将数字电子电路教学基本要求作一小结,并结合典型例题的解析,进行复习辅导。 第一章 半导体二极管、三极管和MOS管 半导体二极管、三极管和MOS管是组成电子电路的基本元件,学习本章,要求: 1.掌握半导体二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及开关状态下的特点。 相似文献
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沈雅芬 《现代远程教育研究》1996,(8)
1 基础知识包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和 MOS 管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本教学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本教学工具,为学习数字电路打下基础。1.1 半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关状态下的特性(见表1)。 相似文献
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余孟尝 《中国远程教育(综合版)》1985,(8)
半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。 相似文献
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沈雅芬 《现代远程教育研究》1995,(8)
电子技术基础—数字电子电路是中央电大电气工程、电子工程和计算机应用工程各专业必修的专业基础课,本课程电视学时36,面授学时19,必做实验5个。本课程教学内容可分为四大部分:(一)基础知识部分包括教材的第一章和第二章。“半导体二极管,三极管和 MOS 管”是组成电子电路的基本元件。“数字逻辑基础”是分析和设计数字电路的基本数学工具。掌握有关数字电路的基本特性和基本数学工具,为学习数字电路打下基础。这部分的主要内容归纳如下:1.半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关状态下的特性(见表1.1)表1.1 相似文献
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《电子技术基础》(1)——数字电子电路课程电视学时36,面授学时19,必做实验6个(含综合性实验1个),本复习指导为98级电气工程、电子工程各专业和计算机应用专业撰写.复习要求下面按教材章节顺序,分重点掌握、一般掌握和一般了解三个层次介绍教学要求.第一章 半导体二极管、三极管和MOS管(一)重点掌握的内容 相似文献
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周鸿雁 《中学物理教学参考》2011,(5)
我们用R=U/I表示导体的电阻,那么在一个物理过程中,找出伏安特性曲线的两个状态对应的电压值U_1和U_2、电流值I_1和I_2,得出电压变化量△U=U_2-U_1,电流的变化量△I=I_2-I_1,能不能用(△U)/(△I)表示这段导体的电阻呢?对于不同情形下的伏安特性曲线,其U/I、(△U)/(△I)的含义是否相同?这是我们在恒定电流教学中常思考的问题.下面通过几个具体实例来研究 相似文献
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原题:在图1(1)所示电路中,其U—I图线如图1(2)所示,求滑动变阻器的阻值范围。若电路改为如图1(3)所示,R_0=4欧,变阻器阻值范围如前所求,求安培计读数的变化范围。本题的参考答案是:1.67安≤1≤2安。对此,笔者认为欠妥。现讨论如下: 由ε=U_1+I_1r=U_2+I_2r得, r=(U_1-U_2)/(I_2-I_1)。由图象可知 r=(8-0)/(10-2)=1(欧), ∴ε=U_1+I_1r=8+2=10(伏)。 相似文献