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1.
反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。 相似文献
2.
《赣南师范学院学报》2022,(3):36-39
采用磁控溅射法,以普通载玻片为基底,制备了不同厚度的金属钛薄膜,在添加光栅掩模版后,制备了钛薄膜光栅。采用控制变量法,重点研究了不同溅射时间(10 min、15 min、20 min、30 min、40 min、50 min)对金属钛薄膜厚度、透过率、电阻率的影响,并测量了所制备的钛薄膜光栅的光栅常数。结果表明,增加溅射时间,在载玻片表面制备的金属钛薄膜的厚度也呈现出增加的趋势。但金属钛薄膜的透过率和电阻率却呈现现相反的趋势,即随着溅射时间的增加而减小;采用分光光度计测量薄膜光栅的光栅常数为0.168 mm. 相似文献
3.
采用离子溅射法制备金薄膜,研究了不同厚度金薄膜的光学及电学性能.结果表明:金薄膜透光性随着厚度的增加显著减小,电阻率随着厚度的增加而减小,在薄膜厚度为20 nm时,电阻率小,透光性较高,适合作透明电极. 相似文献
4.
SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱（IR）进行表征。结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降。在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量。提高溅射功率可以使得薄膜中N含量升高。 相似文献
5.
采用射频磁控溅射法制备了锐钛矿相TiO2薄膜,在基片温度、溅射功率、溅射时间以及靶材与基片间的距离等因素不变的情况下,研究不同氩氧分压比对薄膜亲水性能的影响。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射光谱(XRD)表征了薄膜的微观表面形貌和晶相组成,采用静态接触角(SCA)评估薄膜的亲水性。实验结果表明不同氩氧比制备的锐钛矿相TiO2薄膜,紫外光照12 h后,接触角降到10o左右,而氩氧比小于等于5:5的接触角都低至5o左右,达到了超亲水性。氩氧分压比为4:6时,样品薄膜的光致亲水性最佳且光照后亲水性的保持较长。 相似文献
6.
《赣南师范学院学报》2021,(6):30-34
为了研究溅射电流对磁控溅射沉积钛薄膜光、电学性能的影响,在其它工艺参数相同的情况下改变溅射电流(0.3 A～0.8 A)制备了6组薄膜样品,采用四探针电阻测试仪测量样品的电阻率,用紫外可见分光光度计测量样品的透射率.同时,利用磁控溅射技术成功制取钛薄膜光栅,采用读数显微镜测量光栅常量.研究表明:钛薄膜电阻率随溅射电流的增大而减小,最小电阻率为3.034 3Ω·cm;透射率随溅射电流的增大先减小后增大,最大透射率约为99%(对应溅射电流0.3 A),最小透射率约为0.03%(对应溅射电流0.7 A);测得钛薄膜光栅的光栅常量为(0.170 1±0.000 7)mm. 相似文献
7.
陈玉峰 《石家庄职业技术学院学报》2006,18(4):21-24
综述了纳米TiO2薄膜的无机合成方法,如溶胶-凝胶法、电化学法、溅射法和气相沉积法等,介绍了纳米TiO2薄膜的光催化机理和电荷传输特性,及光催化纳米TiO2薄膜在环境污染治理(如废水处理、大气污染治理等)中的应用. 相似文献
8.
何志刚 《湖州师范学院学报》2009,31(1)
利用四探针测试法分析了导电聚苯胺(PANI-CSA)薄膜的电导率及其屏蔽特性,发现随着薄膜的厚度从4～40μm变化,导电聚苯胺薄膜的室温电导率在12～25S/cm范围内变化.并测试和分析了导电聚苯胺薄膜的屏蔽特性与薄膜厚度的关系,得到了导电聚合物PANI-CSA薄膜的电磁屏蔽效能在一定厚度范围内与理论值是一致的结论. 相似文献
9.
采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积法在衬底Al2O3的(0001)面上沉积ZnO薄膜,所生长的薄膜在未退火和退火时表现出不同的平面内取向.未退火时薄膜表现出较好的单筹异质外延生长,而退火后薄膜的Φ扫描图像中出现了12个峰,这表明退火后薄膜出现反相筹,表现为孪晶生长.重点分析了退火对螺旋波等离子体辅助溅射技术外延ZnO薄膜的结构及表面形貌的影响规律,为外延ZnO薄膜质量的提高及该技术应用的探索奠定基础. 相似文献
10.
本文采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压、溅射功率对ＤｙＦｏＣｏ薄膜性能的影响，实验表明：反射率随惶气压升高而降低，矫顽力随敢压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反应，随后矫顽力又逐渐减少，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差，本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减少。反射率随溅射功率增加而 相似文献
11.
利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．． 相似文献
12.
文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜. 相似文献
13.
使用直流磁控溅射装置,通过在溅射过程中加入不同的金属网格,250℃条件下在玻璃衬底上制备了不同晶粒尺寸的TiO2薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)对薄膜的表面形貌结构和进行了分析.研究结果表明:在磁控溅射过程中金属网格的引入能有效减小TiO2薄膜的晶粒尺寸,并且金属网格的网孔尺寸越小,晶粒尺寸越小. 相似文献
14.
用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜.在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.初步研究了INZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化. 相似文献
15.
《河南职业技术师范学院学报(职业教育版)》2014,(6)
采用离子溅射法制备金薄膜,研究了不同厚度金薄膜的光学及电学性能.结果表明:金薄膜透光性随着厚度的增加显著减小,电阻率随着厚度的增加而减小,在薄膜厚度为20 nm时,电阻率小,透光性较高,适合作透明电极. 相似文献
16.
程奕天 《深圳职业技术学院学报》2021,(1)
采用Al+α-Al2O3复合材料及Al100-xCrx(x=10,20,30)合金作为靶材,用反应磁控溅射将α型籽晶引入氧化铝基薄膜中,研究了籽晶对氧化铝基薄膜的元素比例、相组成、结构特征、表面形貌及纳米硬度的影响.结果显示,在550℃时溅射Al+α-Al2O3复合靶所得的薄膜由单相的α-Al2O3组成,而在同一温度下采用Al70Cr30合金靶所制得的薄膜中检测到α-(Al0.7Cr0.3)2O3固溶体.纯α-Al2O3薄膜及α-(Al0.7Cr0.3)2O3固溶体薄膜的纳米硬度分别达到~23.5GPa和~28.5GPa. 相似文献
17.
18.
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Ag/CoPt]n/Ag薄膜,并在600℃退火30min.结果表明,Ag掺杂厚度(x)对CoPt薄膜的结构和磁性影响很大.当Ag层厚度为0.5nm时,薄膜的垂直取向程度最高,其垂直矫顽力高达8.68×105A.m-1,而平行矫顽力仅为0.54×105A.m-1.适当厚度的Ag不仅有利于薄膜的垂直取向,而且能降低晶粒间的交换耦合作用. 相似文献
19.
《洛阳师范学院学报》2017,(2):33-36
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值. 相似文献
20.
以阳极氧化法制得的TiO2薄膜光电极为工作电极,铂环为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,组成光电催化降解苯酚体系.运用电化学阻抗图谱(EIS),测得光电催化过程中TiO2薄膜光电极的空间电荷层电容,计算出半导体能带结构参数--空间电荷层宽度W.结果证明:当空间电荷层宽度W随阳极偏压增加而增大时,TiO2薄膜电极光催化活性提高;当其等于薄膜厚度时,光催化活性最好,此时出现最佳偏压值;继续增加偏压,活性反而有所下降. 相似文献