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1.
利用脉冲激光沉积法,在3种不同取向的NSTO基片上,生长得到3种不同取向的Fe3O4外延薄膜。制备了Fe3O4（100）/NSTO（100）、Fe3O4（110）/NSTO（110）、Fe3O4（111）/NSTO（111）3种不同异质结。3种异质结的I-V曲线都具有很好的整流特性。利用肖特基结（Schottky junction）二极管I-V关系的热激活模型对实验数据进行处理,得到了这3种异质结的势垒高度ΦB随温度的变化关系。对这3种Fe3O4/NSTO异质结的磁阻进行了测量,分析指出Fe3O4的磁各向异性和不同取向异质结的势垒高度差,是造成3种异质结磁阻差异的主要原因。发现3种异质结的磁阻都与Fe3O4的Verwey转变温度（Tv）相关,在120 K处负磁阻最大。 相似文献
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《淮北师范大学学报》2017,(1):41-45
由于二氧化钛和氧化亚铜具有优异的光催化性能,从而被广泛应用于许多领域,如降解污染物,自清洁的涂料等.设计一种反应温度为180℃和反应时间为3 h的溶剂热方法,以乙二醇作为溶剂,硝酸铜作为反应试剂,在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,合成具有球状结构的Cu_2O颗粒.进一步以酞酸四丁酯(TBOT)为钛源,采用溶剂热法合成具有核/壳结构的Cu_2O@TiO_2球状颗粒.这种具有核壳结构的复合材料形成p-n异质结.创新点在于在两种不同半导体金属氧化物之间成功形成均匀的核壳异质结.所制备的样品采用带有能谱(EDS)仪的扫描电子显微镜,透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对样品形貌进行表征.在室温条件下,以500 W氙灯为光源,对甲基橙(MO)溶液进行光催化降解测试.结果表明,产物的光催化性能明显高于Cu_2O和TiO_2光催化性能. 相似文献
3.
《石家庄学院学报》2015,(6):25-29
以Sn Cl4,Zn Cl2,Na OH,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为原料,采用水热法制备Zn O/Sn O2复合材料.通过X-射线衍射(XRD)对所制备Zn O/Sn O2纳米复合材料的组成和粒径大小等方面进行表征,并以罗丹明B溶液为降解物,对该复合材料的光催化性能进行了研究.结果表明:该材料与未经掺杂的Sn O2相比显示出不同的性质,前者不仅有更大的表面积,也表现出更高的耐高温性能;在降解罗丹明B时,Zn O/Sn O2复合材料的光催化性能得到显著提高.Zn O/Sn O2光催化性能的提高可能是由于其高的比表面积和Zn O与Sn O2之间电荷分离能力的增强相关联. 相似文献
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《河南职业技术师范学院学报(职业教育版)》2021,(2)
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了单层MoS_2、单层SnS_2和MoS_2/SnS_2异质结体系的几何结构、电子结构和功函数等性能.结果表明,MoS_2/SnS_2异质结的带隙明显小于单层MoS_2(001)和单层SnS_2(001),这有利于降低光子激发能,提高光吸收能力.通过计算MoS_2/SnS_2异质结的差分电荷密度,发现电荷的重新分布主要发生在MoS_2的界面附近,SnS_2内部的电荷密度变化很小,这表明构建的异质结可以有效改善复合体系的电荷转移能力,抑制光生电子和空穴的复合,从而提高材料的催化性能. 相似文献
6.
半导体异质结是当前光催化材料的研究热点之一,在环境领域有着广泛的应用前景.首先以六水合硝酸钴、六水合硝酸锌和2-甲基咪唑等为原料,室温合成了ZIF-8/ZIF-67复合材料,然后以其为前驱体,采用自牺牲模板法制备了中空ZnO/Co3 O4半导体异质结材料.利用XRD、SEM和N2吸-脱附等对样品进行表征.最后,以亚甲基... 相似文献
7.
通过微波水热法以及低温熔融盐浸渍法合成了一种含Zn表面异质层改性的富锂正极材料Li1.2Mn0.56Ni0.16Co0.08O2(Zn-LLO).XRD表明没有杂质相的掺入,且合成的材料结晶性十分优异;在扫描电镜和透射电镜下呈现出200 nm左右的二级颗粒组成的球状一级结构;在XPS中可以看出掺入的Zn是存在的,证明了Zn表面异质层的存在.得益于微波水热法,合成的材料结晶性较好,具有较好的性能,同时得益于低温熔融盐浸渍法不破坏材料的结构又形成了Zn表面异质层,Zn-LLO展现出极其优异的电化学性能.在100 mA·g-1下经过100圈的循环,Zn-LLO有209.4 mAh·g-1的超高容量,并且在20,100,200,400,1000和2000 mA·g-1下分别有276.8,236.1,204.4,171.1,127.8和95.1 mAh·g-1的优异的平均容量.经过分析,这主要是由于Zn表面异质层对材料的保护作用,LLO与电解液减少接触使得LLO在循环过程中不容易被电解液腐蚀分解,电化学性能从而更加优异且稳定. 相似文献
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李彤 《天津工程师范学院学报》2009,19(3)
采用磁控溅射法在Si衬底上通过改变沉积顺序制备两类异质PN结:La0.8Sr0.2MnO3/TiO2和TiO2/La0.8Sr0.2MnO3,并时其进行电学性能研究.结果显示Si/La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中的Ⅰ-Ⅴ特性曲线呈现线性特征.这可能是TiO2薄膜区内垂直于生长界面的缺陷使得在垂直于衬底方向上产生载流子"通道",从而导致没有整流特性.而在Si/TiO2/La0.8Sr0.2MnO3异质PN结中的Ⅰ-Ⅴ特性曲线却呈现良好的整流特性.这可能是La0.8Sr0.2MnO3和TiO2生长的均很致密,没有给电流提供导通通道,使得呈现明显整流特性.变温电流电压特性曲线显示整流特性出现在一个50 K到350 K广泛温区,与此同时,随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致了界面电子结构的变化. 相似文献
9.
本研究采用共沉淀法和水热法成功制备出Z型异质结BiVO4/g-C3N4光催化剂。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)方法对制备的样品进行了结构、形貌和光电化学性能表征,并对其可能的光催化反应机理进行了探讨。研究结果表明：与单一的BiVO4、g-C3N4光催化剂相比,Z型异质结BiVO4/g-C3N4光催化剂在可见光下对亚甲基蓝(MB)的降解具有最高的活性,分别是单一的BiVO4和g-C3N4的12倍和2.18倍。经过5次循环实验测试,Z型异质结BiVO4/g-C3N4光催化剂对亚甲基蓝MB的降解率均能达到90%,证明其有良好的稳定性。此外,通过活性物种捕获实验对Z型异质结B... 相似文献
10.
采用磁控溅射法制备了La0.8Sr0.2MnO3(100nm;50nm;17nm)TiO2(70nm)异质PN结,并对其进行电学性能研究.结果显示样品均表现出很好的整流特性.并且在La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中,当LSMO膜厚较薄时,由于LSMO薄膜与衬底之间的较高的应力局限了载流子浓度,导致扩散电压减小.变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化.值得提出的,异质PN结结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO具有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入造成的. 相似文献