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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
在南昌国际展览中心举办的博览会主馆入口处,一个长7.68米、宽3.84米的硅衬底LED全彩显示屏吸引了众多参观者的目光。这个显示屏就是由晶能光电(江西)有限公司制造的。晶能光电拥有的硅衬底GaN基LED材料与器件技术是一种改写半导体照明历史的颠覆性新技术,具有原创技术产权,而南昌大学“半导体照明技术”教育部创新团队正是这项技术的研发者。  相似文献   

2.
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。  相似文献   

3.
非晶硅基合金半导体材料是近些年开发研究的新型光电功能材料。由于它在光电技术方面具有广泛应用背景,特别是在薄膜太阳能电池和大面积薄膜场效应管(TFT)矩阵以及各类敏感器件方面的成功应用,国际科技界对这类新材料的研究给予了高度的重视。尤其是对这类材料的基本物理问题的研究更有其深刻的学术价值和对应用的重要指导意义。我国自70年代末即有较多部门研究非晶态半导体,经过“六五”、“七五”期间的工作,不少方面处于国际水平。1989年国家自然科学基金委员会批准将“非晶半导体中若干物理问题的研究”列为重大项目,旨在加强这一领域的基础物理的研究,推动应用开发。本重大项目包括五个子课题,由中国科学院和国家教委的10个单位承担。本文扼要介绍本项目的研究意义,目前的进展情况和今后的计划和设想。  相似文献   

4.
半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。它是以具有各种人工剪裁能带结构的半导体低维电子系统(二维、一维和零维)为其主要研究对象,涉及半导体物理、材料和器件的综合性研究领域。“半导体超晶格微结构”的研究属国家自然科学基金委员会重大基金项目,它以探索、开发新一代固态电子、光电子器件作为研究工作的着眼点,以生长超薄、陡变和大面积均匀的超晶格、多层异质结等低维量子结构的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等超薄层材料生长手段为技术基础,着重开展半导体超晶格低维系统与普通三维固体不同的新物理现象和效应及其潜在的应用前景方面的基础研究,研究和探索新一代超晶格量子器件的新原理、新模式和新结构。本项目的总体设想是要在全国范围内组织起具有国内第一流水平,国际先进水平的,对半导体超晶格量子阱材料、物理和器件进行综合性基础研究的科研实体,经过“七五”和“八五”期间的工作,应当将我国在该领域内的基础研究整体水平推进到国际先进行列,并且在某些专题研究方面应当做出具有特色的,国际领先的研究成果。  相似文献   

5.
无机半导体材料量子点由于其特有的发光性能,近几年来得到了长足发展,红绿蓝三色发光器件的外量子效率都能接近于理论值。然而,要实现工业化生产,如何实现大面积、高分辨率的红绿蓝三色显示屏的制备有待进一步探索。对量子点显示的发展到量子点器件的加工方法进行了回顾;从材料到制造技术,讨论了量子点的研究现状以及研究方向,综述量子点在显示领域应用前景。  相似文献   

6.
何钧 《今日科苑》2017,(3):52-56
2016年9月9日,荷兰ASMI公司的创始人和前CEO阿瑟·德尔·普拉都(Arthur Del Prado)逝世,半导体工业界失去了一个传奇人物。ASMI是总部位于荷兰比尔特霍芬的一家半导体设备公司,为半导体器件制造商界提供主流半导体IC器件工艺所需的全部主要设备。  相似文献   

7.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法  相似文献   

8.
让硅发光     
Steven  Alhley  任磊 《科学中国》2005,(9):9-10
科学家们长久以来都在寻找基于硅材料的激光。这一进展将使工程师们能在便宜的硅芯片上集成电子器件和光学器件,而不是被迫采用昂贵的特殊半导体材料,如砷化镓或磷化铟。硅激光器将促成光系统的可行性,利用光子代替电子,以每秒数GB的速度迅速传输大量数据。最近,加利福尼亚大学洛杉矶分校和英特尔公司的两个研究小组,报告了他们成功的使硅材料发射连续激光。  相似文献   

9.
正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异、光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长  相似文献   

10.
《科技新时代》2008,(1):18-18
现在更多的数码相机都采用了CMOS(互补型金属氧化物半导体)传感器。不同于CCD(电荷耦合器件)传感器,CMOS上的传感器和模/数转换电路集成在一起.能够减少被称作“噪点”的失真,在使用高感光度拍摄一个昏暗场景时这种噪点会在照片上产生色斑。  相似文献   

11.
新一代半导体材料新贵GAN   总被引:1,自引:0,他引:1  
6aN(氮化镓)时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料,  相似文献   

12.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

13.
正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

14.
半导体超晶格微结构是理想的技术上能很好控制的低维物理系统,是一大类以“能带工程”为设计依据和以分子束外延(MBE)技术为基础的新型人工材料,具有重大的光电子和微电子器件应用前景。80年代以来,作为物理、材料与器件3者的结合点,半导体超晶格微结构一直是半导体科学最活跃的研究前沿领域。黄昆及其合作者自1986年开展超晶格电子态和声子模理论研究以来,对光学声子模式和激子态理论的发展做出了关键性的重要贡献,在电子态理论上发展了有自己特色的计算方法。超晶格振动是超晶格物理的基础。准二维量子结构中的光学振动…  相似文献   

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国家自然科学基金“九五”重大项目“半导体复合光功能材料与器件的基础性研究”日前通过验收,顺利结题。该项目的负责人为阙端麟院士,由浙江  相似文献   

16.
作为计算机大脑的芯片的发明堪称20世纪最伟大的成果。然而它的确是太昂贵了:其制造设备高达数亿美元,成品的加工周期长达2周,加工工序超过20道为此,科学家一直致力于发明一种“桌上工厂”,使得能够在塑料等基体上通过直接打印的方法来制造计算机芯片。如果这种设想得以实现,对于计算机硬件制造工艺来说,将是一次巨大的革命。计算机的硬件制造会变得更加“人性化”,如同当前的软件一样成为一种开放的资源。人们将有可能通过互联网直接下载最新的芯片电路来完成计算机的升级。而且这种工艺还会在其他方面得到应用,例如能够显示可变图像的“壁纸”、智能化的标志或标签、逻辑电路识别系统等等。  相似文献   

17.
褚君浩研究员主要从事窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究,并且取得了一系列的科研成果。其中一些科研成果更引起世界同行的关注。  相似文献   

18.
本文就量子阱超晶格的基本物理,量子阱光电子器件对光通信发展的贡献和量子光电子器件对发展计算技术和信息处理技术的贡献等问题进行了较详细的讨论,指出:半导体量子光电子学的内涵既包含了崭新一代光电子器件的诞生,同时也拓展了以信息的传输、运算和处理为代表的新一代信息技术的发展.半导体量子光电子学将与微电子技术并举成为未来信息社会的两大支柱.  相似文献   

19.
《中国科学院院刊》2014,(6):771-771
<正>中科院上海技术物理所黄志明研究组发现并提出一种太赫兹波段室温新光电导现象:当外部电磁波(光子)入射到器件上,将在半导体材料中诱导势阱,从而束缚来自于金属中的载流子,使得材料中载流子浓度发生改变。黄志明团队成功制备出相关器件,并通过实验证明了所提出理论的正确性。此项研究结果证明了远小于禁带能量的光子激发的室温光电导机制,并跳出了传统的基于带  相似文献   

20.
《黑龙江科技信息》2011,(35):I0004-I0005
美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员开发出一种全新的二维半导体,这是一种由砷化铟制造的“量子膜”,具有带状结构,只需简单地减小尺寸就能从块状三维材料转变为二维材料。相关论文发表在近期出版的《纳米快报》上。  相似文献   

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