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用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜，红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm^-1，并随处理时间的延长峰位向高波数移动，可至1088cm^-1,光电子能谱测得薄膜中的Ols和Si2p的电子结合能分别为533．0ev和103．8ev，硅氧原子接近化学计量比,拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰。 相似文献
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《实验室研究与探索》2016,(8):33-36
以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。结果表明:当激光功率达到某一阈值时,非晶硅样品发生了晶化,即由非晶硅转化成了结晶硅,特征峰发生了46.8 cm-1的位移,薄膜的结晶性质发生根本变化。而结晶硅样品在激光功率变化过程中仅因能量积聚造成了薄膜内应力变化,激光能量消散后内应力恢复原来的状态,特征峰在±5.4 cm~(-1)位移内波动,薄膜的结晶性质并未发生明显变化,表明薄膜处于稳定的晶态结构。 相似文献
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首次利用激光拉曼技术对微量乙烯气体进行测试和分析,得到500 cm-1~3500 cm-1内乙烯气体的拉曼光谱。结果表明,乙烯气体的拉曼光谱有明显特征峰,这一性质为进一步研究果蔬散发乙烯气体的检测提供了依据。 相似文献
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对胸腺嘧啶晶体的拉曼光谱进行了实验测量。考虑到胸腺嘧啶晶体分子之间形成氢键会对分子拉曼光谱产生影响,文章运用了DFr理论分别计算了气相状态、加入两个水分子模拟分子间氢键（dehydrates态）和氢键二聚体（dimer态）的胸腺嘧啶分子的拉曼光谱。结果表明：在氢键作用下,dehydrates态和dimer态在频率1691cm-1、1734cm-1、3468cm-1和3509cm-1处都发生了红移;600cm-1以下频段,dehydrates态和dimer态拉曼活性较弱,与实验结果有很大差距;分子问氢键作用对拉曼光谱的影响主要在1500cm-1以下的低频部分,对2000cm-1以上的高频部分影响不大;采用胸腺嘧啶分子dimer态计算拉曼光谱,大部分频率分布比dehydrates更接近实验值,使得氢键二聚体模型更适合于胸腺嘧啶分子的拉曼光谱计算． 相似文献
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研究了BSA(bovine
serum albumin,牛血清白蛋白)及其水溶液的红外光谱,通过傅里叶自转积谱分析,对上述红外光谱的二级结构构象进行了指认.结果表明,BSA处于水溶液状态与固态时的二级结构是不同的.随着溶液浓度的降低(3.241×10-1～4.032×10-2g·ml-1),酰胺Ⅰ带二级结构子峰存在明显的位移现象,即1609.86
cm-1位移到1608.24cm-1,1633.85位移到1638.36 cm-1,1653.69 cm-1位移到1656.10
cm-1,1681.16 cm-1位移到1674.87 cm-1,1694.88 cm-1位移到1690.78 cm-1,而1621.50 cm-1附近的子峰位移现象不明显. 相似文献
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铜原子的特征电子构型3d~(10)4s~1,属ds区,Cu~ 电子构型3d~(10),Cu~(2 )电子构型3d~9。Cu的第一电离势7.7ev,第二电离势20.2ev。标准电极电位Cu~(2 )/Cu~ 0.17v,Cu~(2 )/Cu0.34v,Cu~ /Cu 0.52v。从特征电子构型来看,Cu(I)比 相似文献
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为了在低温衬底(＜ 500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si (100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理.对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析.结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40～90 nm,Raman光谱在1331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰.XRD谱在2θ =43.90、75.30处出现了金刚石的(111)、(220)特征衍射峰.实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6％;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1100～1300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)、(111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长. 相似文献
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用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3. 相似文献
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王万录 《重庆大学学报(英文版)》2003,2(2)
1. Introduction Recently, carbon nanotubes have attracted a lot of interest because of their outstanding electrical properties and their potential application as a possible material for fabrication of cold cathodes [1-3]. It was found that the field enhancement from carbon nano-tubes exhibited large local field enhancement and considerable field emission currents at relatively low applied voltage. Carbon nanotube-based field emission displays have been fabricated using well-aligned nano-tubes … 相似文献
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利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s． 相似文献
15.
Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were deposited on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering system. The thickness of PZT thin films which were deposited for 5 h was about 800 nm. XRD spectra show that PZT thin films deposited in Ar ambience and rapid-thermal-annealed for 20 min at 700 ℃ have good crystallization behavior and perovskite structure. AFM micrographs show that mean diameter of crystallites is 70 nm and surface structures of PZT thin films are uniform and dense. Raw mean, root mean square roughness and mean roughness of PZT thin films are 34.357 nm, 2.479 nm and 1.954 nm respectively. As test frequency is 1 kHz, dielectric constant of PZT thin films is 327.6. Electric hysteresis loop shows that coercive field strength, residual polarization strength and spontaneous polarization strength of PZT thin films are 50 kV/cm, 10 μC/cm2 and 13 μC/cm2 respectively. 相似文献
16.
The combined characterizations of mobility and phonon scattering spectra allow us to probe hole transport process in epitaxial PbSe crystalline films grown by molecular beam epitaxy （MBE）. The measurements of Hall effect show p-type conductivity of PbSe epitaxial films. At 295 K, the PbSe samples display hole concentrations of （5-8）× 10^17 cm^-3 with mobilities of about 300 cm^2/（V·s）, and at 77 K the hole mobility is as high as 3×10^3 cm^2/（V·s）. Five scattering mechanisms limiting hole mobilities are theoretically analyzed. The calculations and Raman scattering measurements show that, in the temperatures between 200 and 295 K, the scattering of polar optical phonon modes dominates the impact on the observed hole mobility in the epitaxial PbSe films. Raman spectra characterization observed strong optical phonon scatterings at high temperature in the PbSe epitaxial films, which is consistent with the result of the measured hole mobility. 相似文献
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作为一种性能稳定的绝缘体,HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中,我们使用反应溅射方法在不同O2／Ar比例下制备了HfO2薄膜。XRD结果显示,O2／At比例并不能明显的影响样品的结构。通过Debye—Schener公式估计,样品由纳米晶粒组成。在O2／Ar比例为0．06（功率12W）时制备的样品最接近化学配比。在可见光区域,样品具有很好的透光率,T〉85％。明显的吸收发生在波长小于220nm时。通过Tauc公式可以估算出,样品的带隙在5．051到5．547eV范围内变化。 相似文献
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采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样品平均颗粒尺寸随着退火温度的上升从10 nm增加到32 nm。NZFO铁氧体薄膜磁性能与退火温度有强烈的依赖关系,薄膜的矫顽力从退火温度为500℃时的25 Oe增加到900℃时的80 Oe,饱和磁化强度也由146emu/cm3增加到283 emu/cm3,这对于现代电子器件微型化有着非常重要的意义。 相似文献
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黎锡强 《上海大学学报(英文版)》2000,4(2)
1 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｔｈｅｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｗｅｌｌｓｕｉｔｓｔｈｅｇｒｏｗｔｈｏｆｃｏｍｐｏｕｎｄｓａｎｄａｌｌｏｙｓ ,ｗｈｏｓｅｅｌｅｍｅｎｔａｌｃｏｎｓｔｉｔｕｅｎｔｓｈａｖｅｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙｄｉｆｆｅｒｅｎｔｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔｓａｎｄｖａｐｏｒｐｒｅｓｓｕｒｅｓ.ＡｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｍｏｕｎｔｏｆｗｏｒｋｓａｂｏｕｔｒｆｓｐｕｔｔｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｂｉｎａｒｙⅢ Ⅴｃｏｍｐｏｕｎｄｆｉｌｍｓｈａｓｂｅｅｎｐｕｂｌｉｓｈｅｄ[1～… 相似文献
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金属硅化物β—FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0．80～0．89eV,是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池,热电器件等最有发展前景的硅基半导体材料之一。目前,已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试,并取得了一定的成功。文中就近年来β—FeSi2材料的晶体结构、能带结构、光电特性及其在光电子器件中的应用进行了综述。 相似文献