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提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT),该晶体管在沟道下方的P型体区旁增加了一个特殊的低掺杂P型阱区,在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化.分析了低掺杂P阱的宽度和深度对SOI-LIGBT器件热载流子可靠性的影响.通过增加低掺杂P型阱区的宽度,可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值,从而优化器件的热载流子效应.另外,增加低掺杂P型阱区的深度,也会减小器件内部的碰撞电离率,从而减弱器件的热载流子退化.结合低掺杂P型阱区的作用和工艺窗口大小的影响,确定低掺杂P型阱区的宽度和深度都为2μm. 相似文献
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针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题，设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构，通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管，在不使器件的其他电学特性退化的基础上，改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件，对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明，与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比，新结构的反向恢复特性明显改善，反向恢复时间减小了48.8%，反向恢复电荷减小了94.1%，反向峰值电流减小了82.4%。 相似文献
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大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法. 相似文献
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《实验室研究与探索》2016,(9)
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1~40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。 相似文献
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《赣南师范学院学报》2019,(6):58-61
硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数. 相似文献
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《南阳师范学院学报》2016,(12):29-35
针对二阶偏微分方程进行图像放大产生的阶梯效应和对弱边缘纹理增强不足的缺点,利用四阶偏微分方程具有去阶梯效应特性和反向扩散特性,提出了一种各向同性扩散的四阶偏微分方程耦合改进的全变差模型的图像放大算法.使用双正交映射操作实现图像退化模型约束,在低梯度区进行各向同性四阶偏微分方程结合二阶各向异性扩散,弱边缘反向扩散进行增强,同时避免了平滑区域产生阶梯效应,在高梯度区采用二阶偏微分方程扩散耦合冲激滤波器对强边缘进行增强.本文算法和其他算法进行了比较,仿真实验证明:本文算法在保证边缘、细节有较好视觉效果的前提下,得到的放大图像更加自然,对强弱边缘的增强效果都较好. 相似文献
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种新型的电力电子器件,由于具有良好的特性,在电力电子装置中得到了非常广泛的应用。分析了IGBT的物理结构和工作原理,得出IGBT元胞结构中寄生了一个等效的晶闸管器件,这是引发擎住效应的内部原因。总结了引发擎住效应的外电路条件,即过大的集电极电流或过大的集电极—发射级电压变化率。利用PSpice电路仿真软件建立了一个IGBT擎住效应教学模型电路,并进行具体的分析。 相似文献
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提出了一个新型的平面微带双频段带通滤波器,由加载双分支线的开环阶梯阻抗谐振器和平行耦合微带线组成.通过调节开环阶梯阻抗谐振器、平行耦合微带线和加载分支线的长度,带通滤波器在2.55与5.35GHz具有很好的双通带特性且在其间有很好的隔离度.两者的相对带宽分别为11.8%与16.8%.与传统的开环阶梯阻抗谐振器相比,该带通滤波器在第2频带有更宽的带宽,可以覆盖WLAN在高频段的整个范围.该双频段带通滤波器具有低损耗、高隔离、低纹波的特性.通过比较HFSS软件的仿真结果与实际测得的结果发现,两者具有很好的一致性. 相似文献
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高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应,从而将降低高压P-LDMOS的可靠性.借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici的模拟给出了高压P-LDMOS沟道区的电场分布情况,模拟结果显示在沟道区存在2个峰值电场,讨论了产生这2个峰值电场的原因,同时给出了降低这2种峰值电场的有效方法———适当增加沟道的长度和降低沟道区的浓度.实验结果表明采用这2种方法优化得到的高压P-LDMOS的栅击穿电压得到了很大的提高,同时P-LDMOS的可靠性也得以大幅提高. 相似文献
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A high speed column-parallel CDS/ADC circuit with nonlinearity compensation is proposed in this paper.The correlated double sampling (CDS) and analog-to-digital converter (ADC) functions are integrated in a threephase column-parallel circuit based on two floating gate inverters and switched-capacitor network.The conversion rate of traditional single-slope ADC is speeded up by dividing quantization to coarse step and fine step.A storage capacitor is used to store the result of coarse step and locate the section of ramp signal of fine step,which can reduce the clock step from 2 n to 2 (n/2+1).The floating gate inverters are implemented to reduce the power consumption.Its induced nonlinear offset is cancelled by introducing a compensation module to the input of inverter,which can equalize the coupling path in three phases of the proposed circuit.This circuit is designed and simulated for CMOS image sensor with 640×480 pixel array using Chartered 0.18μm process.Simulation results indicate that the resolution can reach 10-bit and the maximum frame rate can reach 200 frames/s with a main clock of 10MHz.The power consumption of this circuit is less than 36.5μW with a 3.3V power supply.The proposed CDS/ADC circuit is suitable for high resolution and high speed image sensors. 相似文献
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文章提出一种利用二能级双原子与量子化光场的相互作用系统实现控制Z门的设计方案。研究结果表明:量子化光场初始时刻制备于相干态,双原子处于叠加态,在大失谐相互作用情况下,控制光场与叠加双原子的相互作用时间,就可以实现控制Z门。 相似文献
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“××门”中“门”词义的跨语言引申 总被引：1，自引：0，他引：1
周翠英 《青岛大学师范学院学报》2009,26(3):105-109
“××门”中“门”的意义与汉语中的原意毫不相干,从语源的角度说它来自于英语中的词缀“gate”。它的词义演变经历了政治丑闻、某一方面的丑闻、带有贬义性质的事件、一般事件、双关意义等阶段,有从直译的词缀向兼有汉英双重意义词缀转化的趋势。 相似文献
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解非齐次线性方程组的C语言程序设计 总被引：1，自引：0，他引：1
智东杰 《安徽广播电视大学学报》2004,(1):125-128
采用阶梯矩阵找出非齐次线性方程组的增广矩阵的秩,用大小为未知量个数的双向栈存栈储自由未知量与非自由未知量,并给出在微机上运行的模拟人工解题的C语言计算程序. 相似文献
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瞿为群 《兰州石化职业技术学院学报》2013,(3):27-28
通过对兰州石化公司西门铁路道口现状的分析,根据车轮传感器的工作原理,将其应用在西门道口报警信号控制系统中,解决了西门道口的安全隐患,为西门道口的安全防护提供了设备保证。 相似文献
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高慧 《北京工业职业技术学院学报》2012,11(4):1-3,8
双分型面注射模,常用于点浇口进料的单型腔或多型腔(多用)的注射模,结构比较复杂。以"盖产品"的三板式注射模具结构设计为例,对双分型面注射模的典型结构进行分析与设计,总结了其设计要点,对其他复杂模具的设计具有很好的借鉴作用。 相似文献
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黄皖毅 《山西师大学报(社会科学版)》2006,33(4):17-20,48
人道主义作为西方文化源远流长的传统，可以分为伦理人道主义和哲学人道主义两个基本的层面。反人道主义思潮对人道主义传统的反思所形成的强批判和弱建构的双重维度，是在哲学人道主义的层面上展开的，根本没有涉及伦理人道主义层面。反人道主义思潮受到西方哲学转向的深刻影响，反人道主义思潮实际上也是一种人道主义。 相似文献
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Single gate optimization for plastic injection mold 总被引：2，自引：0，他引：2
LI Ji-quan LI De-qun GUO Zhi-ying LV Hai-yuan 《浙江大学学报(A卷英文版)》2007,8(7):1077-1083
This paper deals with a methodology for single gate location optimization for plastic injection mold. The objective of the gate optimization is to minimize the warpage of injection molded parts, because warpage is a crucial quality issue for most injection molded parts while it is influenced greatly by the gate location. Feature warpage is defined as the ratio of maximum displacement on the feature surface to the projected length of the feature surface to describe part warpage. The optimization is combined with the numerical simulation technology to find the optimal gate location, in which the simulated annealing algorithm is used to search for the optimum. Finally, an example is discussed in the paper and it can be concluded that the proposed method is effective. 相似文献