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31.
系统阐述了纳米氧化锌的各种制备方法、反应原理及应用研究状况.介绍了纳米氧化锌在紫外线屏蔽、抗菌除臭、橡胶工业、涂料工业等方面的应用及它作为光催化材料、气敏、压电材料、吸波材料等的独特性能,并对其广阔的应用前景进行了展望.  相似文献   
32.
以Zn(Ac)2·2H2O和NH3·H2O为原料,以Zn(NH3)4(Ac)2为前驱体,在低温条件下采用水热法制备多柱氧化锌.探究了反应时间、反应温度对形成氧化锌微晶形貌的影响.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对产品的结构、形貌进行表征.  相似文献   
33.
用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜.在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.初步研究了INZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化.  相似文献   
34.
杨斌  门传玲  曹军 《大众科技》2012,14(4):124-126
采用改性的hummers法制备了氧化石墨,并与二水醋酸锌溶液、NaOH水溶液及水合肼反应制备出氧化锌—石墨烯(GZO)粉末。通过激光显微拉曼光谱仪、X射线衍射仪、场发射扫描电镜等,分析了所制备的GZO的结晶性能、微观形貌,并与氧化锌—铝(AZO)的电阻率、透光率进行了比较。结果表明:GZO的透光率在可见光波段与AZO相差不大,但在紫外光(200~380nm)波段,AZO的透光率为20%,而GZO的透光率达到了50%,透光效果明显优于AZO;AZO的电阻率一般在10-2~10-4Ω.cm,GZO的电阻率为1.03×10-5Ω.cm,导电性也优于AZO,所以理论上GZO更加适合作为TCO玻璃的材料。  相似文献   
35.
祁红军  王静 《内江科技》2014,(6):57-57,66
<正>本文介绍在选用氧化锌避雷器时,既要考虑它与其它设备的绝缘配合问题,又要考虑它自身的稳定性和安全,参数的选择及相互配合,并概述了氧化锌避雷器的试验与在线监测。  相似文献   
36.
目前对氧化锌避雷器检测的常规手段主要有停电试验及带电检测。结合一起现场避雷器故障实例,在发现红外测温异常后采用带电测量、直流泄漏试验确认了避雷器存在内部故障,说明了采用多种检测手段对氧化锌避雷器运行状况进行综合故障诊断的必要性。  相似文献   
37.
以硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)和氢氧化钠(Na OH)为主要原料,通过溶剂热法制备纳米片状、管状氧化锌(Zn O)晶体,利用X射线衍射仪(XRD)对产物晶体进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察粉体表面形貌和粒径。结果表明,在150℃时结晶性最优,可以合成出粒径约200 nm,厚度约10 nm的片状Zn O才随着反应时间的延长,片状的Zn O有逐渐转变为管状的趋势。通过添加十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和调节氨水与乙醇的比例,发现片状Zn O发生明显卷曲,实验结果为管状Zn O纳米晶的制备乃至未来的应用提供重要的基础条件。  相似文献   
38.
采用湿化学刻蚀的方法在金属制品锌箔表面获得了一层薄膜。通过XRD、扫描电镜、荧光光谱对所生成的薄膜进行一系列的表征。证明该薄膜为ZnO薄膜,六方片状结构,荧光光谱分析结果显示其在380,460有两个发光峰。  相似文献   
39.
采用磁控溅射(Sputtering)方法在Si(100)上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。  相似文献   
40.
刘飞 《黑龙江科技信息》2011,(4):40+154-40,154
1000kV氧化锌避雷器是特高压交流输电系统中必不可少的设备,其电压分布不均匀性比较严重。采用"场路结合"的思想,系统的阐述了计算、分析和改善1000kV氧化锌避雷器电压分布的方法。利用三维有限元方法计算得到避雷器电压分布特性,并提取杂散电容参数,得到等效电路模型。讨论了安装高度和均压环对避雷器电压分布的影响,并通过优化选择并联集中电容方案,使1000kV氧化锌避雷器电压分布系数达到5%以内。  相似文献   
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