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21.
文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.  相似文献   
22.
采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜.利用原子力显微镜,研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响,结果表明,N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌,同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加;通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明,随退火温度的升高,薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势.  相似文献   
23.
氧气浓度对ZnO薄膜光电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用磁控溅射法镀制ZnO薄膜,通过椭偏仪和四探针测试仪分析了氧气浓度对薄膜光电性能的影响.结果表明:随着氧分压的增加,薄膜折射率呈变大的趋势,电阻率升高,导电性能降低.  相似文献   
24.
本文介绍了MITSUBISHI F1-60MR-UL可编程控制器在自动磁控溅射离子镀膜机中的应用。采用F1-60MR-UL实现对建筑玻璃真空镀膜生产的自动控制,具有投资小、功能强、编程方便、操作简单可靠的特点。  相似文献   
25.
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值.  相似文献   
26.
设计制作了方便实用的圆形直流平面磁控溅射靶源。测量了铝靶面上的磁场分布,给出了靶电压和靶电流随氢气压的变化曲线。  相似文献   
27.
利用磁控溅射技术在玻璃基片上分别沉积ZnOx薄膜、TiO2-y薄膜和TiO2-y/ZnOx双层透明薄膜,改变薄膜沉积过程中的氩气(Ar)和氧气((O2)的比例,获得具有不同氧含量的ZnOx薄膜和TiO2-y薄膜.采用椭偏仪测定所有样品的折射率,仔细研究薄膜中氧含量对折射率的影响.分别选择具有较大的折射率TiO2-y薄膜和具有较小的折射率ZnOx薄膜的生长条件,制备TiO2-y/ZnOx双层薄膜,获得光密媒质/光疏媒质双层结构,并观察到He-Ne激光从ZnOx薄膜入射到TiO2-y/ZnOx界面上发生的全反射现象.研究成果适用于大学生物理实验中的研究型实验或大学创新实验.  相似文献   
28.
利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn0.95Ca0.05O薄膜,用X射线衍射(XRD)研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350-400 nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。  相似文献   
29.
利用直流磁控溅射方法在BK-7基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。研究氧气流量对薄膜电学和光学性质的影响,分析结构和光电学性质改变的机理。X射线衍射的结果发现,氧气浓度为0.5%时制备的薄膜的衍射峰最强.且出现了新的(102)和(110)衍射峰。实验结果表明,随着氧气流量的增加,电阻率(p)先减小后增大,在氧气浓度为0.5%时获得最低电阻1.5×10^-3。所有样品在可见光区的平均光学透过率都在85%左右.在氧气浓度增到1.5%时可见光区的平均透射率达87%。  相似文献   
30.
通过对TCO玻璃的概念、技术指标、种类、制备方法及TCO玻璃生产线的阐述,旨在增强读者对TCO玻璃的了解。  相似文献   
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