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给出了一个应用于无线局域网WLAN802.11a的中低噪声、高增益的下变频器.该下变频器采用高中频的结构,输入的射频频率(RF)、本振(LO)频率和输出的中频频率(IF)分别为5.15 ～5.35,4.15 ～4.35和1GHz.为了提高混频器的线性度,电路采用了伪差分的吉尔伯特结构和源极电阻负反馈技术;为了获得低的噪声系数,混频器采用电流源注入技术和LC谐振电路作为负载.此外,采用了一种改进的源极跟随器输出缓冲电路,在不恶化其他性能的情况下混频器可以达到较高的增益.该芯片采用0.18μm RF CMOS工艺制作,包含所有焊盘在内的芯片尺寸为580μm×1 185μm.测试结果表明:在1.8V电源电压下,消耗电流为3.8mA,转换增益为10.1dB,输入1dB压缩点为-3.5dBm,输入三阶截点为5.3dBm,单边带(SSB)噪声系数(NF)为8.65dB. 相似文献
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从模拟电路的实验教学出发,介绍EWB软件在晶体管放大电路中的应用,从中可以看出仿真和实验相结合的方式可以提高实验效率。 相似文献
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Lattice-matched InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on sapphire substrate by using low-pressure metallorganic chemical vapor deposition were prepared, and the comprehensive DC characteristics were implemented by Keithley 4200 Semiconductor Characterization System. The experimental results indicated that a maximum drain current over 400 mA/mm and a peak external transconductance of 215 mS/mm can be achieved in the initial HEMTs. However, after the devices endured a 10-h thermal aging in furnace under nitrogen condition at 300 ℃, the maximum reduction of saturation drain current and external transconductance at high gate-source voltage and drain-source voltage were 30% and 35%, respectively. Additionally, an increased drain-source leakage current was observed at three-terminal off-state. It was inferred that the degradation was mainly related to electron-trapping defects in the InAlN barrier layer. 相似文献
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为了放大微弱的高频信号,需要使用LC谐振放大器。以三极管等分立元件构建的单调谐放大器,具有功耗小,噪声低等优点。三级谐振放大器级联实现较大的增益,级间通过高频变压器互感耦合,便于调整谐振频率,并减少损耗。经测试,本LC谐振放大器放大中心谐振频率15．1MHz,偏差100kHz,-3dB带宽300kHz,实现80dB的放大倍数,功耗324mW。输入50μV微弱信号时,输出无明显失真。结果表明,该LC谐振放大器具有低噪声、低功耗、高增益等优点。 相似文献
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本文基于目前高职电子技术基础教材,对晶体管基本放大电路的微变等效电路分析法进行说明。由于大部分高职教材在本部分讲解简略,读者难知其然又知其所以然,因而,特将动态参数的推导过程进行补充说明。 相似文献
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夏继军 《黄冈职业技术学院学报》2003,5(3):87-88
本文介绍了用晶体三管3DG6作为温度传感器来设计一种温度测量仪的具体方案,及该测量仪的简便调校和自动补偿的方法。 相似文献
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CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计 总被引：3，自引：0，他引：3
本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz＠500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠. 相似文献
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董少云 《淮北职业技术学院学报》2002,1(1):88-90
QJR1—300/1140型软启动器是2001年研制出的新产品。本文介绍了设备的参数、特点、结构、安装、应用等。建议在煤矿推广使用。 相似文献
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晶体管的发明引发了半导体革命。本文系统地梳理了晶体管在贝尔电话实验室的发明经纬,具体地考察了诺贝尔物理学奖获得者肖克莱在晶体管发明过程中所发挥的作用。文章在对拥有超凡创造力,但又颇具争议性的人物肖克莱的生平事迹进行考察之后,还结合科技管理问题进行了多角度的思考。 相似文献