首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   110篇
  免费   0篇
  国内免费   4篇
教育   93篇
科学研究   13篇
综合类   5篇
信息传播   3篇
  2014年   6篇
  2013年   5篇
  2012年   5篇
  2011年   2篇
  2010年   6篇
  2009年   15篇
  2008年   5篇
  2007年   11篇
  2006年   10篇
  2005年   12篇
  2004年   8篇
  2003年   13篇
  2002年   3篇
  2001年   1篇
  2000年   5篇
  1999年   4篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1992年   1篇
排序方式: 共有114条查询结果,搜索用时 640 毫秒
51.
利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理 ,采用CSMC HJ 0 6 μmCMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源 ,该带隙参考电压源可以在 0~ 85℃、电源电压 4 5~5 5V的范围内正常工作 ,输出参考电压为 1 12 2~ 1 176V ,输出参考电压浮动比例小于± 3 70 % .包括键合用的焊盘在内 ,芯片的总面积仅为 0 4mm× 0 4mm ,当电源电压在 4 5~ 5 5V范围内变化时 ,电路总的功率消耗在 2 8 3~ 4 8 8mW之间浮动 .  相似文献   
52.
利用CMOS数字集成电路研制出一种专用物品监测仪器。该仪器具有结构简单,性能稳定,可靠性高,功耗低,和使用方便等特点,非常适于在超级市场,大型书店和图情机构中推广使用。将数字集成电路用于模拟信号的处理方法对从事电子仪器仪表开发、维护的技术人员也具有一定的参考价值。  相似文献   
53.
CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz@500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠.  相似文献   
54.
在小型数字系统设计中,一些比较重要的问题往往容易被初学者所忽视,本文旨在通对对这些相关问题的研究能为广大学员提供一些帮助。  相似文献   
55.
采用TSMC0·18μm CMOS工艺实现了一种应用于光纤通信系统SDH STM-64的10Gbit/s1∶4分接器,整个系统采用树型结构,由1个高速1∶2分接器、2个低速1∶2分接器、分频器以及数据和时钟输入输出缓冲组成.为达到优化性能、降低功耗的目标,其中高速分接部分和5GHz1∶2分频器都采用共栅结构、单时钟输入的锁存器;而低速分接部分则由动态CMOS逻辑实现.通过在片晶圆测试,该芯片在输入10Gbit/s、长度为231-1的伪随机码流时工作性能良好,电源电压1·8V,功耗仅为100mW.芯片面积为0·65mm×0·75mm.  相似文献   
56.
分析了软件故障产生的原因,对软件运行环境做了全面的讨论,并提出软件故障的分析方法。  相似文献   
57.
实现了一种基于CMOS工艺的用于DRM与DAB数字广播射频调谐器的具有低相位噪声与低功耗的工作在37.5MHz的差分结构晶体振荡器.在晶体振荡器的核心部分采用了PMOS晶体管来代替传统的NMOS晶体管以降低相位噪声.采用了对称结构的电流镜以提高直流稳定度.采用了由一阶CMOS运算跨导放大器和简单的幅度探测器构成的幅度探测电路以提高输出信号的电流精确度.芯片采用0.18-μmCMOS工艺实现,芯片面积为0.35mm×0.3mm.芯片包含用于驱动50Ω测试的负载接口电路,在1.8V供电电压下,所测得的芯片功耗仅为3.6mW.晶体振荡器的工作输出信号在距离其中心频率37.5MHz频偏1kHz处的相位噪声为-134.7dBc/Hz.  相似文献   
58.
给出了一个应用于无线局域网WLAN802.11a的中低噪声、高增益的下变频器.该下变频器采用高中频的结构,输入的射频频率(RF)、本振(LO)频率和输出的中频频率(IF)分别为5.15 ~5.35,4.15 ~4.35和1GHz.为了提高混频器的线性度,电路采用了伪差分的吉尔伯特结构和源极电阻负反馈技术;为了获得低的噪声系数,混频器采用电流源注入技术和LC谐振电路作为负载.此外,采用了一种改进的源极跟随器输出缓冲电路,在不恶化其他性能的情况下混频器可以达到较高的增益.该芯片采用0.18μm RF CMOS工艺制作,包含所有焊盘在内的芯片尺寸为580μm×1 185μm.测试结果表明:在1.8V电源电压下,消耗电流为3.8mA,转换增益为10.1dB,输入1dB压缩点为-3.5dBm,输入三阶截点为5.3dBm,单边带(SSB)噪声系数(NF)为8.65dB.  相似文献   
59.
基于Jazz工艺,提出一种线性可控全集成Si Ge Bi CMOS驱动放大器(DRA),实现多种可调功率增益放大作用。电路采用全差分共射共基结构,通过调节CMOS电流镜偏置电路和Si Ge-HBT管尺寸以及3bit控制位,实现1d B步长的可控增益。仿真结果显示:在10μA的带隙基准电流源以及3.3V的电源电压下,DRA实现八种可调功率增益,其线性度指标即输出1d B压缩点OP1d B〉3d Bm,电路供电电流〈10m A,且电路输入输出匹配良好(S11与S22均小于-19d B)。  相似文献   
60.
本系统的设计是采用基于ARM9和FPGA的系统平台,利用两个CMOS摄像头,对光纤的垂直的两个方向(X方向和Y方向)图像同时进行图像数据采集,因此ARM可获得三维的光纤熔接图像。两个CMOS摄像头的光纤图像经过ARM处理后,可通过显示设备并行显示。这是一种新的设计,它能够提高光纤熔接图像采集和显示的速度。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号