排序方式： 共有114条查询结果，搜索用时 31 毫秒
61.
基于IBM 90 nm RF CMOS工艺,设计了49.8~55.8 GHz锁相范围的毫米波注入锁相分频器。对电感、共面波导和微带线进行对比.将Q值较高的电感用于振荡器部分以得到较好的相位噪声,将共面波导用于输入匹配部分以得到较宽的输入匹配,注入节点处感性元件采用共面波导以减小版图面积.对振荡器和输入晶体管的偏置电压进行优化,得到较高的注入效率以提高锁相范围. 相似文献
62.
实现了一种应用于WiMAX无线接收机中频部分的单级可变增益放大器.由于采用电流平方技术,该结构能以较少的级联数,实现系统所需的固定增益变化范围,以达到降低总功耗的目的.该电路采用0.13 μm CMOS工艺进行流片,总面积为0.6×0.4 mm2.测试结果表明,当控制电压从0.5 V变化到1 V时,VGA的增益变化范围为-20～25 dB,其3 dB带宽大于15 MHz,IIP3为-21～5 dBm,在1.2 V电源电压下功耗为3.6 mW. 相似文献
63.
64.
阮长清 《荆门职业技术学院学报》2007,22(3):13-16
提出一种可编程定时器的设计思路,设计出实际的硬件电路和软件程序,并给出不同定时参数的计算方法,可以用于要求较高的定时场合。 相似文献
65.
介绍了一种应用于DRM/DAB频率综合器的宽带低相位噪声低功耗的CMOS压控振荡器.为了获得宽工作频带和大调谐范围,在LC谐振腔里并联一个开关控制的电容阵列.所设计的压控振荡器应用中芯国际的0.18μm RF CMOS工艺进行了流片实现.包括测试驱动电路和焊盘,整个芯片面积为750μm×560μm.测试结果表明,该压控振荡器的调谐范围为44.6%,振荡频率范围为2.27～3.57GHz.其相位噪声在频偏为1MHz时为-122.22dBc/Hz.在1.8V的电源电压下,其核心的功耗为6.16mW. 相似文献
66.
介绍了单片集成MEA系统和用于该系统的神经元信号探测电路和激励电路,基本单元电路是低功耗、低噪声、高增益和小版图尺寸的运算放大器.详细讨论了探测电路、激励电路和基本单元运算放大器的设计.神经元信号探测电路版图面积290 μm×400 μm,功耗2.02 mw,等效输入噪声17.72 nV/Hz,增益60.5 dB,输出电压摆幅-2.48～+2.5 V.激励电路版图面积130μm×290 μm,功耗740μW,输出电压摆幅-2.5～2.04 V.参数表明这2种电路适用于单片集成MEA系统.探测电路和单片集成MEA系统已经流片.探测电路的测试结果表明电路工作正常. 相似文献
67.
为多节锂离子电池包提出了一种新型的基于主从式控制的管理系统.该电池包管理系统适用于任意节锂离子电池包.整个系统由一个主控制器和一组子管理芯片组成.电池包的每节电池对应一个子管理芯片.与现有的电池管理系统不同,所提出的方案具有独特的通信方式,并能简单直接地采集电池状态信息.每个子管理芯片和与其相邻的子芯片通讯,传递电池信息并接受来自主控制器的命令.该方法能够使电池包管理芯片系统在标准的CMOS工艺平台上实现.一块基于CSMC 0.5μm 5V N阱CMOS工艺的测试芯片经过流片并测试,验证了所提出的信号通讯方式和电池包管理芯片系统能完成对多节锂离子电池包的保护与管理. 相似文献
68.
本文提出了一种新颖的跨导放大器结构,利用有源负载的正反馈作用提高跨导和开环电压增益。采用推挽输出结构提高输出电压范围,获得高的压摆率。采用标准0．6μnCMOS工艺,经HSPICE仿真验证,所设计的OTA电路具有较高的稳定性。 相似文献
69.
姜颖韬 《温州职业技术学院学报》2014,(4):49-51
为提高图像识别系统的鲁棒性,以高性价比的CMOS摄像头为硬件平台,对智能探测小车图像识别模块进行程序设计。通过验证测试表明,采用基于二进制图像处理算法优化策略的智能图像识别模块,效率高、实时性好、可移植性强,具有广泛的应用前景。 相似文献
70.
设计实现了一种应用于IEEE 802.11a收发信机的PLL频率综合器中的可编程分频器.介绍了逻辑综合、版图规划、布局布线等VLSI设计流程的关键步骤,通过将后端信息返标到前端设计工具,生成自定义线负载模型,优化了深亚微米工艺下的设计流程.可编程分频器采用Artisan TSMC 0.18μm CMOS标准单元库设计并流片.芯片内核面积为1 360.5μm2,可工作在100 ~200MHz的频率范围.测试结果表明芯片能够完成精确的分频比. 相似文献