大科学工程高精密光学元器件研制的技术成熟度评价实证研究     

淡晶晶  莫磊  徐隆波  贺少勃  王传珂  张光军  刘人境 《科技管理研究》2018,(24)

研究大科学工程巨型激光装置建设所需的高精密光学元器件研制技术成熟度评价体系,提出光学元件研制的技术成熟度评价方法、评价等级、评价要素和评价流程。基于该体系对关键元件研制技术成熟度评价进行实证应用,评价结果对巨型激光装置的工程设计提供重要参考,降低巨型激光装置研制风险及光学元件供货对巨型激光装置研制进度的影响。  相似文献   

一种在轨海上多运动舰船目标检测和跟踪方法     

矫腾章  胡玉新  吕鹏  张凯  台宪青 《中国科学院大学学报》2020,37(3):368-378

传统遥感卫星图像处理采用在地面进行目标检测和跟踪处理的模式，卫星将拍摄到的图像数据下传至地面数据处理中心，由地面数据处理系统对接收到的遥感图像数据进行目标检测和跟踪。然而，随着遥感图像分辨率的不断提高，需要下传的数据量增大，导致星地数据传输的时间大大增加，最终造成目标检测和跟踪的时效性降低。针对上述问题，提出一种基于多特征量判别的Canny边缘检测和联合概率数据关联的在轨海上多运动舰船目标检测和跟踪方法。将该方法利用中国科学院微小卫星创新研究院的高分微纳卫星实测数据在模拟星载的嵌入式开发平台上进行验证，结果表明该方法能够在轨对海上多运动舰船目标进行快速、准确的检测和跟踪。  相似文献   

基于平台的网络课程建设—以光学测试技术网络课程为例   总被引：1，自引：0，他引：1  

毛少娟  胡文刚  黄敬霞 《中国现代教育装备》2011,(15):96-98

针对光学测试技术课程传统教学模式中存在的问题,依托＂军队院校网络教学应用系统＂平台,构建了网络课程,介绍了网络课程的主要内容、功能模块以及在实际应用中产生的效果。  相似文献   

电力电子技术课程研究性教学的探索与实践   总被引：1，自引：0，他引：1  

唐杰  林立  刘家芳  李海娜 《中国现代教育装备》2011,(3):76-78

为了实现培养具有创新能力的应用型人才目标,在电力电子技术课程教学实践中实施研究性教学。从课堂教学和实践教学两方面详细论述研究性教学在电力电子技术课程中的实践情况。研究性教学在电力电子技术课程中实践3年多来,成效显著,学生的创新能力和实践能力明显提高。同时,实践也证明在电力电子技术课程中实施研究性教学符合应用型人才培养目标。  相似文献   

知识图谱助力学科教学——以大学模拟电子技术基础课程为例     

吴彦文  孙晨辉  李斌 《教育技术导刊》2021,19(12):195-198

知识图谱和个性化推荐技术是教育研究热点。借助学科知识图谱和学习者画像进行学习资源个性化推荐,提出基于学科知识图谱的资源关联推荐方法。在此基础上选取A、B两个模拟电子技术基础课堂进行学习效果验证,实验数据表明,基于知识图谱的学习资源关联推荐模型能在一定程度上提升该课程学习效果。  相似文献   

测定条件对旋光方向的影响   总被引：1，自引：0，他引：1  

刘春蕴  尹玉英  程纪原 《中国科学院研究生院学报》1997,(1)

有些光学活性分子因测定条件不同而改变旋光方向,因为不同条件下,分子构象发生了变化。构象改变后,分子结构内的螺旋方向改变,其旋光方向随之改变。测定条件变化,若不影响化合物构象,则其旋光方向不改变。  相似文献   

单模光纤光栅型分波器的近轴分析     

陆善达  陆烨 《科技通报》1993,9(3):161-165

对渐变折射率棒透镜和衍射光栅构成的单模光纤分波器的近轴分析,得到了分波方程.对确定的工作波长,根据分波方程选择渐变折射率棒透镜和衍射光栅参数,已制成了二波长和四波长分波器.实验与计算结果符合得很好.同理,也可以分析合波器.  相似文献   

北京地区大气气溶胶光学特性及其直接辐射强迫的研究   总被引：6，自引：0，他引：6  

车慧正  石广玉  张小曳 《中国科学院研究生院学报》2007,24(5):699-704

利用2003年9月－2004年12月天空辐射计观测数据初步反演得到了北京地区大气气溶胶光学特性的参数，包括：500 nm大气气溶胶光学厚度，Angstrom波长指数，单次散射反照率和粒子谱分布的季节变化特征。将反演得到的结果代入辐射传输模式，计算北京地区大气层顶和地面在晴空条件下大气气溶胶的辐射强迫，并分析了其季节变化特征。  相似文献   

根据螺旋理论推断脂肪族化合物的绝对构型   总被引：1，自引：0，他引：1  

尹玉英  刘春蕴 《中国科学院研究生院学报》2001,18(2):160-166

脂肪族光学活性化合物,特别是链状化合物,可根据笔者提出的螺旋理论,对几个较稳定的构象进行计算,由计算结果和构象分析确定其旋光方向,再与测定的旋光方向相对照,同样可以推断出其绝对构型.  相似文献   

GaNAs和GaAsSb半导体的光学性质研究（英文）     

罗向东  徐仲英 《中国科学院研究生院学报》2005,1(5):645-655

首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性。研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰。该峰具有与局域发光完全不同的光学性质。通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光。这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据。在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移，然后蓝移，再红移的所谓的“S”形变化。它的来源一直令人们疑惑不解。我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果。这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据。通过光荧光谱, 时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质。首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中，在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的，其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰。实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态。这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态。这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金，而不是仅仅以N的杂质态存在。这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用，GaNxAs1-x光跃迁的来源，以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据。最后我们利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接（Type-I）跃迁和间接跃迁(Type-II)。时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性。  相似文献