界面量子起伏对铁电超晶格介电性质的影响     

吴银忠  沈明荣  姚东来  曹海霞 《常熟理工学院学报》2003,17(4):22-24

应用平均场理论，在横场伊辛模型的框架内，研究了界面量子起伏对铁电超晶格介电性质的影响。得到界面的量子起伏会导致铁电超晶格的介电极化率的升高。  相似文献   

巨磁阻效应的简单应用   总被引：1，自引：0，他引：1  

姚东来 雎胜鞠艳  吴银忠 《物理教师》2001,22(9):39-40

巨磁电阻效应是指物质在磁场作用下电阻发生巨大变化的现象，或称为巨磁阻(Giant MagnetoResistance。简称GMR)效应．1988年M．N．Baibich首先报导了在Fe／Cr金属多层膜中发现了具有50％的巨磁电阻效应，受到了各国科学家的重视．IBM公司在1997年宣称巨磁阻效应可被用于制作硬盘驱动器的读出磁头，并预计仅仅采用新的GMR材料就可以使原来每张磁盘的容量由1G提高到20G．巨磁阻效应的另外的重大应用是永久磁存储器和GMR传感器．  相似文献