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饱和烷烃衍生物的分子隧道结制备及其电学性能研究 总被引：1，自引：1，他引：0
采用毛细管隧道结法,用C12H25OH和C122H25NH2作功能分子,采用分子自组装方法,在无水无氧条件下制备“镓-自组装单分子层-镓”分子隧道结,并对其电学性能进行了检测．结果表明：在无水无氧条件下制备的分子隧道结的I～V曲线同样呈现出明显的非线性关系,其电子迁移较之在大气条件下更容易发生． 相似文献
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大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法. 相似文献
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利用MATLAB下的BODE图进行控制系统串联校正,可以进一步提高利用MATLAB平台下进行控制系统频域分析的能力,通过举例介绍在MATLAB平台上使用频域法进行系统串联校正的理论根据与操作方法 ,给出了用MATLAB进行串联超前校正设计的一般步骤,通过改变系统的开环波德图形状,使之具有满意的性能指标,对工程设计人员有一定的参考价值. 相似文献
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