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为了有效容忍双节点翻转,提出了一种新颖的22 nm互补金属氧化物半导体工艺下双节点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器.使用3个互锁的单节点翻转自恢复单元,并且每个单节点翻转自恢复单元均主要由3个互相反馈的二输入C单元构成,该锁存器达到了双节点翻转自恢复性.使用较小的晶体管尺寸、时钟门控技术和高速传输路径,有效节省了锁存器的开销.实验结果验证了该锁存器的双节点翻转自恢复性,并且与最新的双节点翻转自恢复锁存器相比,该锁存器平均节省了72.54%的传输延迟、33.97%的功耗和78.57%的延迟-功耗-面积复合开销,而平均的面积开销仅增加了16.54%. 相似文献
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