焦平面探测器ZnS增透技术研究     

郑克霖  傅月秋  王海珍 《内江科技》2009,30(11):90-90

在Insb焦平面探测器（FPA）制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大Insb芯片对红外光的吸收。本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnSN@SiO2膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性。  相似文献