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本文报道了用角分辨紫外光电子谱(ARUPS)、角分辨俄歇电子能谱(ARAES)和功函数测量对六硼化镧多晶进行了分析。ARAES的结果表明在退火后的六硼化镧多晶表面上由于镧原子的偏析,形成了一个镧富集的表面。ARUPS的结果表明该表面上位于费米能级以下2.2eV处有表面态的存在。吸水后,伴随着表面态的消失,六硼化镧的功函数有0.2eV的增加。 相似文献
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一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W, 相似文献
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著名的写作理论家刘锡庆曾经说过,任何一篇文章或一部作品的诞生,都要完成这样一种"双重转化"。首先是现实生活、客观事物向认识主体即作者头脑的转化,它要依据"反映论"的精神,能动地、本质地、真实地将现实生活、客观事物转化为作者的 相似文献
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