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1.
刘古  鲍世宁 《科技通报》1989,5(6):21-23,53
本文报道了用角分辨紫外光电子谱(ARUPS)、角分辨俄歇电子能谱(ARAES)和功函数测量对六硼化镧多晶进行了分析。ARAES的结果表明在退火后的六硼化镧多晶表面上由于镧原子的偏析,形成了一个镧富集的表面。ARUPS的结果表明该表面上位于费米能级以下2.2eV处有表面态的存在。吸水后,伴随着表面态的消失,六硼化镧的功函数有0.2eV的增加。  相似文献   
2.
一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W,  相似文献   
3.
刘古开 《快乐阅读》2011,(27):76-77
著名的写作理论家刘锡庆曾经说过,任何一篇文章或一部作品的诞生,都要完成这样一种"双重转化"。首先是现实生活、客观事物向认识主体即作者头脑的转化,它要依据"反映论"的精神,能动地、本质地、真实地将现实生活、客观事物转化为作者的  相似文献   
4.
用角分辨俄歇谱(ARAES)研究了LaB6晶体的不同晶面.第一,对(100),(110)和(111)三种晶面,La(625ev)俄歇信号的极角角分布所显示的前向聚焦效应表明这些晶面是无弛豫、无重构的;第二,La(78ev)和B(180ev)强度之比的角分布则给出了硼和镧在晶体表面上的相对分布情况,表明:有序单晶的上述三种表面主要是镧面:而在多晶或无序单晶表面上则硼与镧的机会均等。另外还研究了温度对镧在晶体表面上富集的影响,结果与表面功函数的测量一致。  相似文献   
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