用AES研究PECVD氮化硅膜     

鲍德松  张秀淼  贺国根  刘古  季振国  周小霞 《科技通报》1987,(3)

一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W,  相似文献   

高能电子辐照与开关晶体管     

张秀淼  贺国根  鲁虔 《科技通报》1986,(2)

晶体管的开关特性,与半导体中少子寿命有关,提高晶体管开关速度的传统工艺方法是借助于高温扩散在芯片中引入诸如金、铂等深能级杂质作为复合中心。但是在三重扩散台面工艺的高反压大功率晶体管中,要求把少子寿命控制在微秒数量级,这在工艺上是很难准确控制的。用高能电子辐照控制硅中少子寿命是一种很有前途的先进方法。最近我们采用电子辐照提高反压功率开关晶体管开关速度工艺技术,从选择合适的硅单晶着手,采用三重扩散台面工艺、电子辐照和后处理工艺相结合。解决了工艺的相容性,参  相似文献