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巨磁电阻（ＧＭＲ）效应的应用,是一个从科学发现向应用快速转化的最新例子。ＧＭＲ效应是１９８８年由德国Ｇｒｕｎｂｅｒｇ和法国Ｆｅｒｔ两位科学家的研究组发现的。研究对象是多层薄膜结构：Ｆｅ／Ｃｒ／Ｆｅ三层结构或［Ｆｅ／Ｃｒ］ｎ超晶格（ｎ为周期数）。用分子束外延（ＭＢＥ）方法制备。在外磁场作用下,这种多层结构薄膜的电阻值变化率可达５０％以上,故称为巨磁电阻效应。一年多后,ＩＢＭ公司的Ｐａｒｋｉｎ／小组用磁控溅射法代替昂贵的分子束外延方法制备多层膜,意外发现铁磁层之间的磁矩取向度随中介非磁性层厚度呈振荡… 相似文献
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