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用于GaN生长的蓝宝石衬底片化学机械抛光工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
赵之雯 《大众科技》2007,(10):112-113,125
对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究.系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率.  相似文献   
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对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案,结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。  相似文献   
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