全文获取类型
收费全文 | 96487篇 |
免费 | 64篇 |
国内免费 | 167篇 |
专业分类
教育 | 81529篇 |
科学研究 | 4152篇 |
各国文化 | 151篇 |
体育 | 772篇 |
综合类 | 2379篇 |
文化理论 | 276篇 |
信息传播 | 7459篇 |
出版年
2024年 | 146篇 |
2023年 | 676篇 |
2022年 | 324篇 |
2021年 | 659篇 |
2020年 | 775篇 |
2019年 | 942篇 |
2018年 | 501篇 |
2017年 | 1187篇 |
2016年 | 1904篇 |
2015年 | 3590篇 |
2014年 | 9251篇 |
2013年 | 6770篇 |
2012年 | 7346篇 |
2011年 | 8898篇 |
2010年 | 7234篇 |
2009年 | 7039篇 |
2008年 | 8528篇 |
2007年 | 6303篇 |
2006年 | 4589篇 |
2005年 | 3918篇 |
2004年 | 3524篇 |
2003年 | 3358篇 |
2002年 | 3018篇 |
2001年 | 2303篇 |
2000年 | 1831篇 |
1999年 | 568篇 |
1998年 | 382篇 |
1997年 | 283篇 |
1996年 | 210篇 |
1995年 | 174篇 |
1994年 | 152篇 |
1993年 | 96篇 |
1992年 | 78篇 |
1991年 | 74篇 |
1990年 | 29篇 |
1989年 | 44篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 281 毫秒
1.
采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
8.
9.
刘丽梅 《承德职业学院学报》2003,8(4):18-19
本文主要针对省计算机二级考试中的C语言部分,在复习时应该注意的几个方面,以讲、例结合的方式作了.详细的论述. 相似文献