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1.
以邻苯二胺和2-氯苯甲酸、4-甲氧基苯甲酸、2,6-吡啶二羧酸为原料,在多聚磷酸(PPA)的催化下,用微波辐射法分别合成2-(2-氯苯基)苯并咪唑、2-(4-甲氧基苯基)苯并咪唑和2,6-二(2-苯并咪唑基)吡啶.通过测定熔点、元素分析、红外光谱(IR)、核磁(1HNMR)及紫外光谱(UV)对这三种苯并咪唑类化合物进行了表征,并对合成工艺进行了初步探讨.荧光测试表明,这三种化合物分别在发射波长λ发射=364.0 nm、345.0 nm、376.0 nm处具有较强的蓝色荧光发射. 相似文献
2.
采用凝胶燃烧法制备了粒径为100 nm~300 nm 的 Zn1-xNixO (x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)纳米粉末.使用 SEM、 XRD、荧光分光光度计对产物的结构、形貌及光学性能进行表征.研究结果表明,氧化锌中镍的最大掺杂量为 x=0.03,超出以后会析出氧化镍晶体.随着镍掺杂量的增加,镍掺杂氧化锌的紫外吸收限发生红移,能带宽度逐渐降低,紫外光区的吸收减弱而可见光区的吸收增强;镍掺杂氧化锌发射光谱发射峰强度减弱、宽化,并出现一些新的发射峰 相似文献
3.
用碳酸氢铵和氨水的混合溶液来作复合沉淀剂,采用共沉淀法制备了Tb3＋共掺杂Al2O3：Eu粉体.用X射线衍射（XRD）对其相结构进行了研究,通过荧光分光光度计分析了Tb3＋离子共掺杂浓度对Al2O3：Eu的发光性能的影响.研究结果表明：Tb3＋掺杂提高了γ-Al2O3的热稳定性.并观察到Tb3＋→Eu3＋的能量传递,最佳掺杂浓度为5 mol%,提高了Al2O3：Eu的发光强度. 相似文献
4.
将功率为30W．波长为1064nm的YAG激光束（束斑直径0．045mm）照射在硅样品表面打出小孔，在孔内的侧壁上有很特殊的网孔状结构，其中的网孔壁厚为纳米尺度，解释孔侧壁网孔状结构的机理．孔侧壁上的网孔状结构有很强的受激荧光发光效应，发光峰中心约在700nm处．当样品在加工和检查过程中保持脱氧状态时，其样品几乎没有发光，证实了氧在PL发光增强上起着重要作用．我们用量子受限及其纳晶与氧化硅界面态复合的综合模型来解释其光致发光的增强机理 相似文献
5.
通过钯催化的Heck耦合反应,合成了一种含噁二唑基团与MEHPV单元的交替共聚物（oxa-MEHPV）,并利用UV-vis,FT-IR,^1H-NMR对其单体和聚合物的结构进行了表征,研究了目标聚合物的荧光性能、由于在MEH-PPV的主链骨架上引入噁二唑基团,oxa-MEHPV分子链的刚性得到增强,表现出更好的热稳定性能,在常规有机溶液如氯仿、二氯甲烷、甲苯等中也有更好的溶解性．同时,由于噁二唑具有很好的电子亲和能力,聚合物紫外吸收波长发生了较大的蓝移,较MEH-PPV拥有了更好的电子迁移率和更高的荧光量子效率,因而在聚合物电致发光（PLED）领域有潜在的应用前景. 相似文献
6.
研究了含硫芳香族(苯磺酰基环烷烃甲酸酯)化合物对发光菌的毒性与其拓扑指数之间的定量关系,相关性良好,结果表明计算值与实验值较吻合. 相似文献
7.
陈城钊 《韩山师范学院学报》2012,(3):29-33
基于散射矩阵法对SOI衬底的谐振腔结构进行了理论设计．采用超高真空化学气相沉积系统,在SOI基的Ge虚衬底上制备出高质量的Ge和Ge／SiGe多量子阱材料．室温下样品的光致发光谱表明SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光起有效的强度增强作用,实验结果与理论预期符合得很好． 相似文献
8.
概述了纳米碳化硅半导体材料,如采用各种成膜技术在硅衬底上制备的纳米碳化硅(nc-SiC:H)膜,镶嵌在各种介质如(α-SiC:H、SiO2或ZSM-5中的纳米晶碳化硅的光致发光特性及其最近研究进展 相似文献
9.
10.
以二芳胺和4-溴-1,8-茶酰亚胺体系为原料,经Cu I／18-crown-6／K2CO3催化制备了2个新的萘酰亚胺衍生物,利用FT-IR,NMR,EA等表征了其结构．并用UV-vis和PL测定了此类化合物在正己烷、四氢呋喃和二氯甲烷不同极性溶剂中的发光性能．在450nm附近的紫外最大吸收波长是由于分子内的电荷转移造成的,并且其发射波长在非极性溶剂正己烷中分别位于492和501nm,而在极性溶剂二氯甲烷中分别位于600和620nm．采用Lippert-Mataga方程计算出分子4-二苯胺基-N-（2-甲氧基苯基）-1,8-萘酰亚胺（DMN-1）和4-（2-萘基苯基胺基）-N-（2-甲氧基苯基）-1,8-萘酰亚胺（DMN-2）基态与激发态偶极矩差值分别为9．2和9．8D,如此大的偶极矩变化说明了该分子具有典型的分子内电荷转移特性． 相似文献