| ZnO基磁性半导体研究进展 |
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| 引用本文： | 李辉,任妙娟,张中士.ZnO基磁性半导体研究进展[J].中国科技信息,2005,2(23):9-11. |
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| 作者姓名： | 李辉 任妙娟 张中士 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学物理与微电子学院,250100
2. 山东大学物理与微电子学院,250100;济南大学理学院,250033
3. 济南大学理学院,250033 |
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| 基金项目： | 济南大学博士基金项目(B0404) |
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| 摘 要： | 2001年,Matsumoto等人1]报道了室温下有磁性的(Ti,Co)O的磁性半导体,得到磁矩为0.32μB/Co原子,且看到了磁畴结构。引起了人们对氧化物磁性半导体的极大关注2-4]。但是随着对该体系研究的深入,越来越多的证据表明其磁性应该是来自Co的团簇5,6]。ZnO是一种应用广泛的材料,它价格便宜,来源广,用途多。可以用作紫外线防护层、气敏传感器等。ZnO的帯隙是3.2ev,是六角密排结构并且很容易沿c轴择优取向,即使在无定型结构的衬底上低温生长也是如此。包括ZnO在内的Ⅱ-Ⅵ族的化合物通过掺杂后,会出现很多新的物理和化学现象,而ZnO可以很容易…
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