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| 用AES研究PECVD氮化硅膜 | |
| 引用本文： | 鲍德松,张秀淼,贺国根,刘古,季振国,周小霞.用AES研究PECVD氮化硅膜[J].科技通报,1987(3). |
| 作者姓名： | 鲍德松 张秀淼 贺国根 刘古 季振国 周小霞 |
| 作者单位： | 杭州大学物理系，杭州大学物理系，杭州大学物理系，浙江大学中心实验室，浙江大学中心实验室，浙江大学中心实验室 |
| 摘 要： | 一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W, |
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