| 硅光电池与电荷耦合器件测量光强性能比较 |
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| 引用本文： | 魏芳波,王安福,朱喜仲,胡成香.硅光电池与电荷耦合器件测量光强性能比较[J].郧阳师范高等专科学校学报,2006,26(6):36-38. |
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| 作者姓名： | 魏芳波 王安福 朱喜仲 胡成香 |
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| 作者单位： | 1. 郧阳师范高等专科学校,物理与电子工程系,湖北,丹江口,442700
2. 汉江集团,碳化硅公司,湖北,丹江口,442700 |
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| 摘 要： | 硅光电池与电荷耦合器件(CCD)均可作为光电探测器,但在测量光强时由于结构和制造过程的不同具有各自优势.从结构和基础差异的角度,结合测量激光参数,对二者的探测性能进行了比较.
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| 关 键 词： | 硅光电池 CCD 光电探测器 图像采集 |
| 文章编号： | 1008-6072(2006)06-0036-03 |
| 修稿时间： | 2006年9月12日 |
Light Intensity Performance Comparison between Silicon Photoelectric Generator and CCD |
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| WEI Fang-bo,WANG An-fu,ZHU Xi-zhong,HU Cheng-xiang.Light Intensity Performance Comparison between Silicon Photoelectric Generator and CCD[J].Journal of Yunyang Teachers College,2006,26(6):36-38. |
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| Authors: | WEI Fang-bo WANG An-fu ZHU Xi-zhong HU Cheng-xiang |
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| Abstract: | Both silicon photoelectric generator and CCD can be used as photo detector;however,they have their respective advantages for their different structure and manufacturing process.This article,from the perspectives of structure and basic difference and combining with measuring laser parameter,makes a comparison of detecting performance between them. |
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| Keywords: | CCD |
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