| 碲镉汞薄膜的光电跃迁和红外焦平面材料器件研究 |
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| 引用本文： | 褚君浩,何力,李言谨,龚海梅,黄志明.碲镉汞薄膜的光电跃迁和红外焦平面材料器件研究[J].中国科技奖励,2006(7):51-52. |
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| 作者姓名： | 褚君浩 何力 李言谨 龚海梅 黄志明 |
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| 作者单位： | 中科院上海技术物理研究所，中科院上海技术物理研究所，中科院上海技术物理研究所，中科院上海技术物理研究所，中科院上海技术物理研究所 |
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| 摘 要： | 窄禁带半导体碲镉汞薄膜主要用于研制红外焦平面列阵器件,在航天航空红外遥感、军事国防、气象、资源、环境、医学和科学仪器等领域有重要应用。碲镉汞薄膜和焦平面器件制备在国际上被公认为具有极大的难度和挑战性,相关的光电子物理的研究也更为丰富和复杂,特别是在光吸收跃迁效应方面还有重要问题没有解决。本项目主要解决了碲镉汞薄膜的光电跃迁以及材料器件有关的光电子物理的基本科学问题,促进碲镉汞薄膜材料和红外焦平面器件制备,解决国家对红外焦平面重大需求的科学基础问题。主要发现如下:(1)发现碲镉汞最完整的带间跃迁本征吸收光…
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| 关 键 词： | 红外焦平面器件 碲镉汞薄膜 列阵器件 薄膜材料 跃迁 光电 窄禁带半导体 基本科学问题 |
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