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第三代半导体:“虚拟生长”引发充电革命

摘要：	<正>听多了虚拟货币、虚拟现实、虚拟主机……有没有听过虚拟生长?"要长出高质量的碳化硅(Si C),我们需要对生产工艺进行设计、调试和优化。"晶体材料国家重点实验室教授陈秀芳带领的课题组有一项重要任务——通过物理气相沉积法生长出高质量、大尺寸的Si C单晶材料。"但实际的生长耗时、耗料,可能也不稳定,通过计算机模拟‘虚拟生长’过程,可提前获知温度、生长
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