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| GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs超晶格内施主束缚能的一维化计算 | |
| 引用本文： | 焦善庆,李树深,潘留仙.GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs超晶格内施主束缚能的一维化计算[J].湖南城市学院学报,1991(5). |
| 作者姓名： | 焦善庆 李树深 潘留仙 |
| 作者单位： | 西南交通大学物理系 (焦善庆)，河北师范大学物理系 (李树深)，益阳师专(潘留仙) |
| 摘 要： | 本文给出在有效质量近似下GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs超晶格内施主束缚能的一维化计算,把超晶格结构和各种不同外场不同的影响过渡为由哈密顿量中势能项V(r)的不同所代替,此结果具有一定的普遍意义。对新材料研究有一定的应用前景 |
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