| InGaAs/InP雪崩二极管的温度-电压特性 |
| |
| 引用本文： | 李水峰,李宗书.InGaAs/InP雪崩二极管的温度-电压特性[J].中国科技信息,2009(11). |
| |
| 作者姓名： | 李水峰 李宗书 |
| |
| 作者单位： | 1. 广东工业大学实验教学部,510006
2. 广东工业大学网络信息与现代教育技术中心,510006 |
| |
| 基金项目： | 广东工业大学校青年基金 |
| |
| 摘 要： | 用InGaAs/InP雪崩二板管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs/InP单光予探测器探测性能的重要因素.介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法;并分析了几组不同温度下光电流、暗电流-电压特性曲线,得出一些结论.
|
| 关 键 词： | ADN8831 单光子探测器 雷崩光电二极管 光电流 暗电流 |
Temperature and Voltage characteristic for InGaAs/InP Avalanche photodiode |
| |
| Li Shuifeng,Li Zongshu.Temperature and Voltage characteristic for InGaAs/InP Avalanche photodiode[J].CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION,2009(11). |
| |
| Authors: | Li Shuifeng Li Zongshu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
