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纯铁膜的阻温特性
引用本文:陈卫平,崔巧文,邵先亦.纯铁膜的阻温特性[J].台州学院学报,2003,25(6):29-31.
作者姓名:陈卫平  崔巧文  邵先亦
作者单位:台州学院信息与电子工程学院物理系,浙江,临海,317000
摘    要:采用直流磁控溅射的方法 ,制备了一系列不同厚度的纯铁膜 ,并测量了它们的阻温 (R -T)特性。研究表明 ,样品的R -T特性与镀膜时间 ,即膜的厚度有关。在同一系列中 ,随样品厚度的增加 ,R -T关系呈现出由半导体特性向金属性渡越的特征

关 键 词:纯铁膜  金属性  半导体性  临界厚度
文章编号:1672-3708(2003)06-0029-03
修稿时间:2003年7月25日

Temperature- resistance Properties of the Pure Ferric Film
CHEN Wei-ping,CUI Qiao-wen,SHAO Xian-yi.Temperature- resistance Properties of the Pure Ferric Film[J].Journal of Taizhou University,2003,25(6):29-31.
Authors:CHEN Wei-ping  CUI Qiao-wen  SHAO Xian-yi
Abstract:Series of pure ferric films are prepared by the magnetron-control sputtering method, and their temperature-resistance properties are measured. Studies have shown that the temperature-resistance properties of the samples are related to the thickness of the pure ferric films. Within the same series of pure ferric films, the temperature-resistance relationship has shown the tendency of transition from semiconductor characteristics to metallic characteristics.
Keywords:pure ferric film  metallic characteristics  semiconductor characteristics  thickness of the adjacent part
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