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| 深亚微米CMOS工艺浮栅结构ESD保护电路设计 | |
| 引用本文： | 黄静.深亚微米CMOS工艺浮栅结构ESD保护电路设计[J].科协论坛,2008(2):84-85. |
| 作者姓名： | 黄静 |
| 作者单位： | 黄静（南通大学电子信息学院,江苏·南通,226019;华东师范大学电子系,上海,200062） |
| 摘 要： | CMOS工艺进入到深亚微米时代,对电路的静电保护能力提出了极大的挑战,本报告在GGNMOS结构ESD保护电路的基础上,提出了一种浮栅结构的静电保护电路和其栅极反偏电路,分析了0.13μm CMOS工艺下浮栅结构NMOS的I-V特性分析和漏电流特性,结果表明该浮栅结构ESD保护电路抗静电能力强、触发电压低,漏电流小. |
| 关 键 词： | 静电放电(ESD) 浮栅结构 反偏电路 深亚微米 |
| 文章编号： | 1007-3973(2008)02-084-1 |
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