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| 射频低噪声放大器的ADS设计 | |
| 引用本文： | 李良.射频低噪声放大器的ADS设计[J].大众科技,2010(10):46-47,45. |
| 作者姓名： | 李良 |
| 作者单位： | 电子科技大学物理电子学院,四川,成都,610054 |
| 摘 要： | 采用E-PHEMT晶体管(ATF54143)设计了一个S波段的低噪声放大器。依据放大器的各项指标对电路进行了设计、优化,最后通过S参数及谐波仿真分析得到了放大器的各项性能参数。结果表明设计的低噪声放大器完全符合性能指标,其功率增益可达15dB,噪声系数在0.7dB以下,带内平坦度小于0.5dB,输入/输出驻波比小于1.5dB,1dB压缩点输出功率大于16dBm。 |
| 关 键 词： | ATF54143 S波段 低噪声放大器 |
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