首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

新型的CMOS分布放大器的设计
引用本文:刘畅.新型的CMOS分布放大器的设计[J].黄冈师范学院学报,2013(6):56-59.
作者姓名:刘畅
作者单位:黄冈师范学院物理与电子信息学院,湖北黄冈438000
摘    要:利用06微米CMOS技术设计了一种新型的CMOS分布放大器。介绍了分布放大器的原理。利用HP—ADS软件仿真和设计了一个四级CMOS分布放大器。设计中使用了一系列片上螺旋电感。测量了分布放大器的S参数。对实验结果进行了分析和讨论。

关 键 词:分布放大器  CMOS  螺旋电感  S参数

Design of a novel CMOS distributed amplifier
LIU Chang.Design of a novel CMOS distributed amplifier[J].Journal of Huanggang Normal University,2013(6):56-59.
Authors:LIU Chang
Institution:LIU Chang (College of Physics Electronic Information, Huanggang Normal University, Huangzhou 438000,Hubei,China)
Abstract:A novel distributed amplifier is designed using 0.6 μm CMOS technology. The principle of distributed amplifier is demonstrated. A four--stage CMOS distributed amplifier is simulated and designed by HP--ADS. A series of on--chip spiral inductors are used in the design. S parameters of the distributed amplifier are measured. The experimental results are studied.
Keywords:Distributed  Amplifier  CMOS  spiral inductors  S parameter
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号