| 基于宽禁带氧化物半导体的紫外测试仪研制 |
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| 引用本文： | 尹博,李昕,解天骄,郑连陞,刘彩霞.基于宽禁带氧化物半导体的紫外测试仪研制[J].实验室研究与探索,2019(3):61-63,105. |
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| 作者姓名： | 尹博 李昕 解天骄 郑连陞 刘彩霞 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11574110);吉林省教育厅"十三五"科学技术项目(JJKH20180158KJ) |
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| 摘 要： | 以溶胶凝胶法制备的宽禁带氧化物半导体为基底,磁控溅射法制备的Pt为插指电极材料,在Si衬底上依次制备氧化物半导体薄膜、插指Pt电极、外层氧化物半导体薄膜,形成夹层式MSM型紫外探测芯片,并连接至底座,得到紫外探测器件。该器件结构不但实现了对插指电极的保护封装,并且提高了探测芯片自身的稳定性。以该器件为核心进行了外围电路的设计,用功能模块进行光强度向电压信号的转换,并且将入射紫外光的强度通过显示屏显示出来。经封装,最终得到一款性能良好,功能完备的紫外测试仪。
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| 关 键 词： | 紫外探测仪 夹层式设计 氧化物半导体 |
Research on Ultraviolet Detector Based on Wide Band Gap Oxide Semiconductor |
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| YIN Bo,LI Xin,XIE Tianjiao,ZHENG Liansheng,LIU Caixia.Research on Ultraviolet Detector Based on Wide Band Gap Oxide Semiconductor[J].Laboratory Research and Exploration,2019(3):61-63,105. |
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| Authors: | YIN Bo LI Xin XIE Tianjiao ZHENG Liansheng LIU Caixia |
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| Institution: | (College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China) |
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| Abstract: | YIN Bo;LI Xin;XIE Tianjiao;ZHENG Liansheng;LIU Caixia(College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China) |
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| Keywords: | UV detector sandwich type chip oxid semiconductor |
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